실리콘가루의 직접질화는 화학순실리콘가루 (분석순: 95% 이상) 와 질소가 NH3, N2+H2 또는 N2 분위기에서 직접 반응하여 이뤄진다. 반응 방정식은 다음과 같습니다: 실리콘 분말 직접 질화 합성 Si3N4 미세 분말의 장점은 공정이 간단하고 비용이 저렴하며, 단점은 반응 온도가 높고 반응 시간이 길며 반응 속도가 느리며, 준비한 Si3N4 입도 분포가 넓어서 더 분쇄하고 연마하고 정제해야 한다는 것입니다.
실리카 환원 질화 방법, 실리카 분말과 토너를 혼합 한 후, 먼저 열 환원을 통해 실리카를 생성 한 다음 실리카 질화는 거대한 실리콘 질화물로 생성된다. 일반 화학반응식은 다음과 같다. SiO _ 2 환원 질화법은 원료가 풍부하고 반응산물은 푸석한 분말로 실리콘가루 질화물과 함께 분쇄할 필요가 없어 불순물의 재도입을 피하기 때문에 이 방법으로 준비한 Si3N4 분말 알갱이 모양 규칙은 입도 분포가 좁다.
Si3N4 세라믹 소재는 우수한 고온 엔지니어링 소재로 고온 분야에서 그 장점을 충분히 발휘할 수 있다. 그 강도는1200 ℃고온에서 낮아지지 않고,1900 ℃가 분해될 때까지 용융물로 녹지 않습니다. 놀라운 내화학성 부식성을 갖추고 있어 거의 30% 이하의 무기산과 가성나트륨 용액 등을 모두 견딜 수 있다. 실리콘 질화물은 물과 거의 반응하지 않는 고성능 전기 절연 소재입니다. 농강산 용액에서 천천히 가수 분해되어 암모늄염과 실리카를 생성한다. 강산용액은 수소산에 용해되기 쉬우며, 희산과는 반응하지 않고, 실리콘 질화물을 천천히 부식시킬 수 있고, 녹은 알칼리는 실리콘 질화물을 실리콘산염과 아미노 실리콘 질화물로 빠르게 변환할 수 있다. 이러한 성능은 초합금과 비슷하지만 고온 구조 소재로서 기계적 충격 강도가 낮고 바삭바삭한 등의 단점도 있습니다. 따라서 실리콘 질화물, 특히 실리콘 질화물이 실리콘 실리콘과 결합하여 복잡한 재질을 만드는 연구와 위스커로 실리콘 질화물 세라믹을 강화하고 다른 화합물을 추가하는 연구에 널리 사용되고 있다.