기억의 표기 문제

이 두 가지 도구를 시험해 보세요.

컵 -Z

또는 HA_Aida 소프트웨어.

작업 관리자의 pf 빈도일 뿐입니다.

메모리 클럭 속도는 CPU 클럭 속도와 마찬가지로 메모리 속도를 나타내는 데 사용되며 메모리가 얻을 수 있는 최대 작동 주파수를 나타냅니다. 메모리의 주 주파수는 MHz 단위입니다. 메모리 클럭 속도가 높을수록 메모리 도달 속도가 어느 정도 빨라진다는 뜻입니다. 메모리의 클럭 속도는 스토리지가 제대로 작동하는 최대 주파수를 결정합니다. 현재 메인스트림 메모리 주파수실은 333MHz 및 400MHz DDR 메모리, 533MHz 및 667MHz DDR2 메모리입니다.

우리 모두 알고 있듯이, 컴퓨터 시스템의 클럭 속도는 주파수로 측정됩니다. 수정 발진기는 클럭 속도를 제어합니다. 전압이 해당 칩에 적용될 때 사인파로 진동하며 칩의 변형과 크기로 기록될 수 있습니다. 결정체의 진동은 정현파 고조파와 변화 전류의 형태로 표현되는데, 이것이 바로 시계 신호이다. 메모리 자체에는 결정진이 없으므로 메모리 작동 시 클럭 신호는 마더보드 칩셋의 북교에서 제공되거나 마더보드의 클럭 생성기에서 직접 제공됩니다. 즉, 메모리는 자체 작동 주파수를 확인할 수 없으며 실제 작동 주파수는 마더보드에 의해 결정됩니다.

DDR 메모리와 DDR2 메모리의 주파수는 작동 주파수와 동등한 주파수의 두 가지 방법으로 나타낼 수 있습니다. 작동 주파수는 메모리 입자의 실제 작동 주파수이지만 DDR 메모리는 펄스의 상승 및 하강 에지에서 데이터를 전송할 수 있으므로 데이터 전송과 동등한 주파수는 작동 주파수의 두 배입니다. DDR2 스토리지는 클록 당 4 배 작동 주파수로 데이터를 읽고 쓸 수 있으므로 데이터 전송과 동등한 주파수는 4 배 작동 주파수입니다. 예를 들어 DDR 200/266/333/400 의 작동 주파수는100/133/166/200mhz 이고 해당 주파수는 다음과 같습니다 DDR2 400/533/667/800 의 작동 주파수는 각각100/133/166/200mhz 로 동등합니다

메모리 비동기 작업 모드에는 많은 의미가 포함되어 있습니다. 넓은 의미에서 메모리 작동 주파수가 CPU 외부 주파수와 일치하지 않을 때마다 메모리 비동기 작동 모드라고 할 수 있습니다. 첫째, 메모리 최초의 비동기 작동 모드가 초기 마더보드 칩셋에 나타나 CPU 외부 주파수보다 높거나 낮은 모드 (33MHz 만 차이가 있음) 에서 메모리를 작동시켜 시스템 메모리 성능을 향상시키거나 기존 메모리를 계속 여열을 발휘할 수 있습니다. 둘째, 정상 작동 모드 (CPU 오버클러킹 안 함) 에서는 현재 많은 마더보드 칩셋도 Intel 9 10GL 칩셋과 같은 메모리 비동기 작동 모드를 지원하며 533MHz FSB, 즉 133MHz CPU 외부만 지원합니다 그러나 작동 주파수가 133MHz 인 DDR 266, 작동 주파수가 166MHz 인 DDR 333, 작동 주파수가 200MHz 인 DDR 400 (참고133 다시 한 번 CPU 를 오버클럭킹할 경우 CPU 오버클럭킹 기능 뒤로 메모리를 끌지 않도록 메모리 작동 주파수를 낮추어 오버클럭킹을 용이하게 할 수 있습니다. 예를 들어 AMD 의 소켓 939 인터페이스의 드래곤 144 는 오버클러킹이 매우 쉬워 많은 제품의 외부 주파수가 300MHz 를 쉽게 넘을 수 있습니다. 메모리 동기화 작동 모드인 경우 이 시점에서 메모리 등가 주파수가 DDR 600 까지 올라갈 수 있습니다. 이는 분명히 불가능합니다. 300MHz 외부 주파수를 성공적으로 초과하기 위해 오버클럭하기 전에 마더보드 BIOS 에서 메모리를 DDR 333 또는 DDR 266 으로 설정할 수 있습니다. 300MHz 외부 주파수가 오버클럭킹되면 DDR 500 (일부 음식 기억은 할 수 있음) 만 있고, DDR 400 (완전 정상 표준 주파수) 만 있습니다. 따라서 스토리지가 제대로 설정됩니다.

메모리 비동기화는 현재 거의 모든 마더보드 칩셋에서 지원되고 있으며, 인텔은 8 10 시리즈에서 업데이트된 875 시리즈까지 지원하며, 위성은 693 칩셋부터 이 기능을 제공하고 있습니다.

삼성 메모리

예: samsungk4h280838b-tcb0

비트 1- 칩 기능 k 는 메모리 칩을 나타냅니다.

2 위-칩 유형 4 는 dram 을 나타냅니다.

세 번째-칩에 대한 추가 유형 설명, S 는 SDRAM, H 는 DDR, G 는 sgram 입니다.

4 번째 및 5 번째 숫자-용량 및 주사율. 같은 용량의 메모리는 다른 주사율과 다른 숫자를 사용합니다. 64, 62,

63, 65, 66, 67, 6a 는 64m 비트의 용량을 나타냅니다. 28, 27, 2a 는 128mbit 의 용량을 나타냅니다. 56, 55, 57, 5a 는 256 메가비트를 나타냅니다.

용량; 5 1 5 12mbit 의 용량을 나타냅니다.

6 위와 7 위-데이터 케이블 핀 수, 08 은 8 비트 데이터를 나타냅니다. 16 은 16 비트 데이터를 나타냅니다. 32 는 32 비트 데이터를 나타냅니다. 64 는 64 비트 데이터를 나타냅니다.

비트 1 1- 연결'-'.

비트 14 및15-칩 속도, 예를 들어 60 은 6 ns70, 7 ns7b 는 7.5 ns (cl = 3); 7c 는 7.5ns (cl = 2) 입니다. 80 은 8 ns 10 입니다

10ns(66mhz) 입니다.

메모리 입자 코딩의 주요 숫자의 의미를 알고 메모리 스틱을 얻은 후 용량을 계산하는 것은 매우 쉽습니다. 삼성 DDR 처럼요.

18 개 samsungk4h280838b-tcb0 입자로 캡슐화된 메모리. 입자번호의 4 위와 5 위' 28' 은 입자가 128 메가비트임을 나타냅니다.

6 번째와 7 번째 "08" 은 이 지역 그룹이 8 비트 데이터 대역폭을 가지고 있음을 의미하므로 메모리 용량을 128 메가비트로 계산할 수 있습니다.

× 16 칩 /8 비트 = 256 메가바이트.

참고: "비트" 는 "digit", "b" 는 byte“byte ",1 바이트가 8 비트이면 8 로 나눕니다. 메모리 용량 계산 정보

이 문서에 제시된 예에는 두 가지 경우가 있습니다. 하나는 비 ECC 메모리이고, 8 비트 데이터 너비의 입자는 각각 하나의 메모리를 구성할 수 있습니다. 또한

64 비트 데이터 뒤에 8 비트 ECC 검사 코드를 추가하는 ECC 스토리지입니다. 검사 코드를 통해 두 개의 메모리 데이터를 감지할 수 있습니다.

비트 오류, 오류 수정. 따라서 실제 용량 계산 중에는 ECC 기능이 있는 18 입도 메모리가 계산되지 않습니다.

실제 용량에 16 을 곱합니다. 구매 시 18 또는 9 메모리가 ECC 메모리라고 판단할 수도 있습니다.

하이닉스 (현대)

현대 기억의 의미:

Hy5dv64 1622at-36

Hyxxxxxxxxxxxxxxxx

123456789101112

1 및 hy 는 현대 제품을 나타냅니다.

2. 메모리 칩 유형: (57=sdram, 5d = DDR SDRAM); );

3. 작동 전압: 공백 =5v, v = 3.3v, u = 2.5v.

4. 칩 용량 및 주사율: 16= 16mbits, 4kref；; 64=64mbits, 8kref65=64mbits, 4kref

128= 128mbits, 8kref129 =128mbits, 4kref 256 257 = 256 메가비트, 8 킬로비트

5. 칩 출력을 나타내는 데이터 비트 너비: 40, 80, 16 및 32 는 각각 4 비트, 8 비트, 16 비트 및 32 비트를 나타냅니다.

6. 은행 수: 1, 2,3 은 각각 2,4,8 개 은행을 나타내며 2 의 거듭제곱이다.

7.i/o 인터페이스:1:sstl _ 3,2: sstl _ 2.

8. 칩 커널 버전: 비어 있거나 a, b, c, d 등의 문자일 수 있습니다. 뒤로 갈수록 커널은 더 새로워진다.

9. 전력 소비량 표시: l= 저전력 칩, 공백 = 일반 칩.

10, 메모리 칩 캡슐화 형식: jc=400milsoj, TC = 400 mil TSOP-II, TD = 13 mm TSOP-II,,

1 1, 작동 속도: 55: 183mhz, 5:200mhz, 45:222mhz, 43: 233

H:ddr266b, k:ddr266a

현대 mbga 패키지 입자

영비릉 (영비릉)

영비링은 독일 지멘스의 자회사이다. 현재 지멘스 산하의 영비링은 국내 시장에서 두 가지 스토리지 입자만 생산하고 있다.

씨앗 용량: 128 메가비트 입자와 256 메가비트 입자. 숫자에는 메모리 용량 및 데이터 너비가 자세히 나와 있습니다.

。 영비의 메모리 대기열 구성 및 관리 모드는 입자당 4 개의 저장 장치로 구성됩니다. 따라서 메모리 입자 모델이 적고 구별하기가 어렵습니다.

가장 쉽습니다.

Hyb39s 128400 은 128mb/4bits 를 나타내고, "128" 은 입자의 용량을 나타내며, 마지막 세 자리는 메모리의 데이터 폭을 나타냅니다. 기타

마찬가지로 hyb39s 128800, 즉128mb/8bits; Hyb39s 128 160 은128mb/16bits 입니다. Hyb39s256800 은 ，

256 메가바이트 /8 비트입니다.

영비링 메모리 입자 작업 비율은 모형 끝에 짧은 선을 추가한 다음 작업 비율에 치수를 기입하여 표현됩니다.

-7.5- 스토리지의 작동 주파수가133mhz 임을 나타냅니다. 을 눌러 섹션을 인쇄할 수도 있습니다

-8- 스토리지의 작동 주파수가 100mhz 임을 나타냅니다.

예를 들면 다음과 같습니다.

1 킹스턴 메모리 스틱은 16 영비링 hyb39s 128400-7.5 메모리 입자로 생산됩니다. 용량은 다음과 같이 계산됩니다.

128 메가비트 × 16 칩 /8 = 256 메가비트.

1 ramaxel 메모리 칩은 8 개의 잉잉 hyb39s 128800-7.5 메모리 입자로 생산됩니다. 용량은 128mbits 로 계산됩니다.

(메가비트) ×8 칩 /8= 128mb (메가바이트).

킴맥스, kti

Kingmax 메모리 설명

Kingmax 메모리는 모두 tinybga (tinyballgridarray) 에 캡슐화되어 있습니다. 포장 모델은 특허 제품이므로

Kingmax 입자로 만든 메모리 스틱은 모두 공장에서 직접 생산한 것이다. Kingmax 메모리 입자에는 64mbits 와 128mbits 용량이 있습니다.

여기에 각 용량 시리즈의 메모리 세분성 모델을 나열할 수 있습니다.

용량 참고 사항:

Ksva 44t 4a0a-64mbits, 16m 주소 공간 ×4 비트 데이터 폭;

KSV 884t 4a0a-64m 비트, 8m 주소 공간 × 8 비트 데이터 폭

Ksv244t4xxx- 128mbits, 32m 주소 공간 ×4 비트 데이터 폭

Ksv684t4xxx- 128mbits, 16m 주소 공간 ×8 비트 데이터 폭;

Ksv864t4xxx- 128mbits, 8m 주소 공간 × 16 비트 데이터 너비.

Kingmax 메모리는 메모리 작동 속도를 식별하기 위해 모델 뒤에 짧은 선 기호로 구분된 네 가지 상태로 작동합니다.

-7a-PC133/cl = 2;

-7-PC133/cl = 3;

-8a-PC100/cl = 2;

-8-PC100/cl = 3.

예를 들어 kingmax 메모리 스틱은 16 개의 ksv884t4a0a-7a 메모리 입자로 구성되며 용량은 64mbits (메가비트) 로 계산됩니다

) × 16 칩 /8= 128mb (메가바이트).

미크론 (미크론)

미광의 메모리에 대한 인코딩 규칙은 번호 mt48lc 16m8a2tg-75 를 예로 들어 설명합니다.

의미:

Mt- 미광의 제조업체 이름입니다.

48 형 메모리. Sdram； 의 경우 48; 46 은 DDR 을 의미합니다.

LC- 전원 공급 장치 전압. Lc 는 3v 를 나타냅니다. C 는 5v 를 나타냅니다. V 는 2.5v 를 나타냅니다

16m8-세분성 메모리 용량은 128mbits 이며16m (주소) ×8 비트 데이터 너비로 계산됩니다.

A2- 메모리 커널 버전 번호입니다.

Tg- 캡슐화 방법, TG 는 tsop 패키지입니다.

-75- 메모리 작동 속도, 즉133mhz; 을 눌러 섹션을 인쇄할 수도 있습니다 -65 는 150mhz 를 나타냅니다.

예: micronddr 메모리 스틱은 mt46v32m4-75 로 번호가 매겨진 18 개의 입자로 구성됩니다. 메모리는 ECC 기능을 지원합니다. 그래서 매번

저장 영역은 홀수 개의 저장 입자입니다.

용량은 용량 32m×4bit× 16 칩 /8=256mb (메가바이트) 로 계산됩니다.

화방 (중국)

의미 설명:

W wxxxxxxxx

12345

1 및 W 는 메모리 입자가 중국 국가에서 생산된다는 것을 나타냅니다.

2. 대표적인 메모리 유형: 98 은 SDRAM, 94 는 ddrram.

입자의 버전 번호를 나타냅니다. 일반적인 버전 번호는 b 와 h 입니다.

4. 패키지의 경우 h 는 tsop 패키지, b 는 BGA 패키지, d 는 lqfp 패키지입니다.

5. 작동 주파수: 0: 10 ns,100mhz; 을 눌러 섹션을 인쇄할 수도 있습니다 8:8ns,125 MHz ： Z:7.5ns,133mhz ： Y:6.7ns,150mhz ： 6 분 6 초,

166 MHz ： 5:5 나노초, 200 메가헤르츠

모젤어 (대만 모슬어)

대만성 모스 기술은 대만성 메모리 칩 공장으로 대륙에 대한 공급이 많지 않아 우리는 그다지 익숙하지 않다. 이 입자의 수는

V54c365 164vdt45, 숫자 6 과 7 은 65, 즉 단일 입자는 64/8 = 8mb 이고 단일 입자의 비트 폭은 숫자 8 과 9 부터 16bit 입니다.

일련 번호의 마지막 3 자리 t45 에서 입자 속도가 4.5ns 임을 알 수 있습니다.

남아시아, 선단, pqi, pluss, atl, eudar

남아시아 기술은 세계에서 6 번째로 큰 메모리 칩 제조업체이자 지난해 대만성 메모리 칩 제조업체 중 유일하게 수익성이 높은 기업으로 세계 5 위를 차지했습니다.

조금. 이 스토리지의 번호는 NT5S5V8 M 16CT-7K 입니다. 여기서 네 번째 글자' S' 는 SDRAM 메모리를 나타내고, 6 번째 및 7 번째 8 M 은 단일 입자 용량을 나타냅니다.

8m, 8,9 비트 16 은 단일 입자 비트 폭 16bit, -7k 는 7ns 의 속도를 나타냅니다.

V-data (홍콩 빅토리아 항), a-data (대만 주 빅토리아 항), vt

메모리 그레인 번호는 vdd8608a8a-6b h0327, 6나노초 그레인, 단면 8 그레인 용량 * * * 256M,0327 은 제조일을 나타냅니다.

이 시기는 2003 년 27 주째다.

참고 자료:

/BBS/dispbs.asp? Boardid = 2& id = 25& page =1

응답자: 이영지-순위 12 6 08: 55

질문자의 답변 평가:

대단히 감사합니다.

기타 답변 *** 6

간단히 말해서, 메모리를 컴퓨터에 꽂고 전원을 켜면 내 컴퓨터를 마우스 오른쪽 단추로 클릭하면 볼 수 있다.

그리고' 메모리의 레이블 보기' 에도 설명이 있다.

응답자: 셰민-매니저 레벨 4 6-6 08:54

각 메모리 모듈에는 자체 크기가 있습니다.

만약 여러분이 기억 속에서 보거나 쓰지 못한다면,

메모리를 메모리 슬롯에 넣습니다.

컴퓨터를 부팅하여 windows 로 들어갑니다. 내 컴퓨터 속성을 마우스 오른쪽 단추로 클릭합니다. 일반에서는 메모리 크기가 아래쪽에 표시됩니다. 그것이 항상 2 의 거듭제곱이라는 것을 기억하세요.

오, 어떤 컴퓨터는 504MB 를 보여줍니다. 즉, 메모리 5 12MB 는 어차피 2 의 거듭제곱에 가장 가까운 숫자입니다.

64+ 128 도 있음)

응답자: 창고 _ _ 창고-수습 기간 수준 6-6 09:00.

우리는 그것을 기계에 꽂아 테스트할 수 있다.

또한 메모리 용량은 메모리 입자의 모델을 보고 계산할 수 있습니다. 현재 메모리 칩 제조업체는 많지만

메모리 입자를 생산하고 시장을 점유할 수 있는 업체는 상대적으로 적다. 국내 시장의 주류 메모리 칩에 사용되는 메모리 입자

, 주로 일부 국제 제조업체가 생산합니다.

다음은 몇 가지 대형 공장의 메모리 입자 코딩 규칙을 예로 들어 메모리 용량을 식별하는 방법을 보여 줍니다.

삼성 메모리 입자

현재 삼성의 메모리 알갱이를 이용해 메모리 칩을 생산하는 제조업체들이 많아 시장 점유율이 높다. 그 거대한 제품 라인 때문에,

그래서 삼성 메모리 입자의 명명 규칙은 매우 복잡하다. 삼성 메모리 입자의 모델은 16 자리 숫자 코드에 의해 이름이 지정됩니다. 이것은 유용하다.

사용자는 메모리 용량 및 작업 속도 식별에 더 많은 관심을 갖고 있으므로 이 두 부분의 의미에 초점을 맞추겠습니다.

인코딩 규칙: K4XXXXXXXXX-XXXXX

주요 의미:

비트 1- 칩 기능 k 는 메모리 칩을 나타냅니다.

2 위-칩 유형 4 는 DRAM 을 나타냅니다.

세 번째-칩에 대한 추가 유형 설명, S 는 SDRAM, H 는 DDR, G 는 SGRAM 입니다.

4 번째 및 5 번째 숫자-용량 및 주사율. 같은 용량의 메모리는 다른 주사율과 다른 숫자를 사용합니다. 64, 62,

63, 65, 66, 67, 6A 는 64m 비트의 용량을 나타냅니다. 28, 27, 2A 는 128Mbit 의 용량을 나타냅니다. 56, 55, 57, 5A 는 256 메가비트를 나타냅니다.

용량; 5 1 5 12Mbit 의 용량을 나타냅니다.

비트 1 1- 연결'-'.

비트 14 및15-칩 속도, 예를 들어 60 은 6 ns70, 7 ns7B 는 7.5 ns (cl = 3); 7C 는 7.5ns (cl = 2) 입니다. 80 예

8ns 10 은 10ns (66MHz) 입니다.

메모리 입자 코딩의 주요 숫자의 의미를 알고 메모리 스틱을 얻은 후 용량을 계산하는 것은 매우 쉽습니다. 삼성 DDR 처럼요.

메모리, 18 개의 삼성 k2h 280838 b-TCB 0 입자로 캡슐화되어 있습니다. 입자번호의 4 위와 5 위' 28' 은 입자가 128 메가비트임을 나타냅니다.

6 번째와 7 번째 "08" 은 이 지역 그룹이 8 비트 데이터 대역폭을 가지고 있음을 의미하므로 메모리 용량을 128 메가비트로 계산할 수 있습니다.

× 16 칩 /8 비트 = 256 메가바이트.

참고: "비트" 는 "digit", "b" 는 byte“byte ",1 바이트가 8 비트이면 8 로 나눕니다. 메모리 용량 계산 정보

64 비트 데이터 뒤에 8 비트 ECC 검사 코드를 추가하는 ECC 스토리지입니다. 검사 코드를 통해 두 개의 메모리 데이터를 감지할 수 있습니다.

비트 오류, 오류 수정. 따라서 실제 용량 계산 중에는 ECC 기능이 있는 18 입도 메모리가 계산되지 않습니다.

실제 용량에 16 을 곱합니다. 구매 시 18 또는 9 메모리가 ECC 메모리라고 판단할 수도 있습니다.

미크론 메모리 입자

미크론 메모리 입자의 용량 감정은 삼성보다 훨씬 간단하다. 다음은 MT48LC 16M8A2TG-75 의 번호를 예로 들어 보겠습니다.

미광 기억의 코딩 규칙을 설명해 주세요.

의미:

Mt- 미광의 제조업체 이름입니다.

48 형 메모리. SDRAM； 의 경우 48; 46 은 DDR 을 의미합니다.

LC- 전원 공급 장치 전압. LC 는 3v 를 나타냅니다. C 는 5v 를 나타냅니다. V 는 2.5V 를 나타냅니다

16M8-세분성 메모리 용량은 128Mbits 이며16m (주소) ×8 비트 데이터 너비로 계산됩니다.

A2- 메모리 커널 버전 번호입니다.

TG 포장법, TG 는 TSOP 포장입니다.

-75- 메모리 작동 속도, 즉133mhz; 을 눌러 섹션을 인쇄할 수도 있습니다 -65 는 150MHz 를 나타냅니다.

예: 미크론 DDR 메모리 1 개는 18 개의 MT46V32M4-75 로 구성되어 있습니다. 메모리는 ECC 기능을 지원합니다. 그래서 매번

저장 영역은 홀수 개의 저장 입자입니다.

용량은 용량 32M ×4bit × 16 칩 /8=256MB (메가바이트) 로 계산됩니다.

지멘스 스토리지 입자

현재 지멘스 산하의 영비링은 국내 시장에서 두 가지 메모리 입자인 128Mbits 의 입자와 용량만 생산하고 있다.

256 메가비트 입자입니다. 숫자에는 해당 스토리지의 용량과 데이터 너비가 자세히 나와 있습니다. 잉잉 링 메모리 큐 구성 및 관리 모드 전체

그러나 각 입자는 4 개의 분기로 구성됩니다. 따라서 메모리 입자 모델은 작고 쉽게 구분할 수 있습니다.

HYB39S 128400 은 128MB/ 4bits 를 나타내고, "128" 은 입자의 용량을 나타내며, 마지막 세 자리는 메모리의 데이터 폭을 나타냅니다. 기타

마찬가지로 HYB39S 128800, 즉128mb/8bits; HYB39S 128 160 은128mb/16bits 입니다. HYB39S256800 은 ，

256 메가바이트 /8 비트입니다.

영비링 메모리 입자 작업 비율은 모형 끝에 짧은 선을 추가한 다음 작업 비율에 치수를 기입하여 표현됩니다.

-7.5- 스토리지의 작동 주파수가133mhz 임을 나타냅니다. 을 눌러 섹션을 인쇄할 수도 있습니다

-8- 스토리지의 작동 주파수가 100MHz 임을 나타냅니다.

예를 들면 다음과 같습니다.

1 킹스턴 메모리 스틱은 16 영비링 HYB39S 128400-7.5 메모리 입자로 생산됩니다. 용량은 다음과 같이 계산됩니다.

128 메가비트 × 16 칩 /8 = 256 메가비트.

1 Ramaxel 메모리 칩은 8 개의 잉잉 HYB39S 128800-7.5 메모리 입자로 생산됩니다. 용량은 다음과 같이 계산됩니다.

128 메가비트 × 8 야드 /8 = 128 메가비트.

Kingmax 메모리 입자

Kingmax 스토리지는 모두 TinyBGA (미니 볼 그리드 어레이) 에 캡슐화되어 있습니다. 그리고 포장은 특허 제품이기 때문에 우리는

나는 Kingmax 입자로 만든 메모리 스틱이 모두 공장에서 직접 생산한 것을 보았다. Kingmax 메모리 입자에는 64Mbits 와 의 두 가지 용량이 있습니다.

128 메가비트. 여기에 각 용량 시리즈의 메모리 세분성 모델을 나열할 수 있습니다.

용량 참고 사항:

Ksva 44t 4a0a-64mbits, 16M 주소 공간 × 4 비트 데이터 폭;

KSV 884t 4a0a-64m 비트, 8M 주소 공간 × 8 비트 데이터 폭

Ksv244t4xxx- 128mbits, 32M 주소 공간 × 4 비트 데이터 폭

Ksv684t4xxx- 128mbits, 16M 주소 공간 × 8 비트 데이터 폭;

Ksv864t4xxx- 128Mbits, 8m 주소 공간 × 16 비트 데이터 너비.

Kingmax 메모리는 메모리 작동 속도를 식별하기 위해 모델 뒤에 짧은 선 기호로 구분된 네 가지 상태로 작동합니다.

-7a-PC133/cl = 2;

-7-PC133/cl = 3;

-8a-PC100/cl = 2;

-8-PC100/cl = 3.

예를 들어 Kingmax 메모리 스틱은 16 개의 KSV884T4A0A-7A 메모리 입자로 구성되며 용량은 64Mbits (메가바이트) 로 계산됩니다

비트) × 16 칩 /8= 128MB (메가바이트) 입니다.