쇼욱동의 주요 경험

쇼욱동

쇼욱동은 현재 홍콩 중문대 물리학과 교수, 우한 대학 물리과학과 기술학원 교수, 중국과학원 선전 선진기술연구원 광전태양열센터 연구실 주임, 국가중대과학연구계획 수석과학자다.

중국명: 쇼욱동

국적: 중국.

직업: 교사

졸업 대학: 캘리포니아 대학 버클리 분교, 중국 과학기술대학.

주요 성과: 표면과학과 태양전지 연구에 장기간 종사하다.

대표작: 국제 주류 학술지에 논문 150 여 편, 5400 여 편, H 인자 40, 중미 특허 60 건에 가까운 논문을 게재했다.

소개

쇼 교수는 중국 진공학회 상무이사, 중국 에너지학회 상무이사, 홍콩 연구개발국, 국가자연과학기금위원회 심사 전문가이다. 그는 국제현대물리학지' SB (IJMPB) 와' 현대물리학 Sletter SB' (MPPB) 의 편집위와 부편집장,' 화학물리학지' 와' 과학, 자연, 물리 평론통신',' 응용물리학 통신' 이기도 하다.

쇼 교수 1986 은 중국 과학기술대학을 졸업하고 선생이 주관하는 중미 연합물리학 대학원 프로젝트에 합격했다. 같은 해 미국 캘리포니아대 버클리 분교로 유학을 갔고 1992 는 물리학 박사 학위를 받았다. 버클리 로렌스 연구소에서 박사후 연구원으로 일했습니다. 1994 년부터 2006 년까지 홍콩 과학기술대학에 채용되어 조교수, 부교수, 교수 등을 역임했다. 그는 현재 홍콩 중문 대학교 물리학과 교수이다. 한편, 쇼 교수는 2004 년 이후 줄곧 중국 과학기술대학의 객원 교수였다. 쇼 교수는 금속 반도체 박막 물리학 등 표면/인터페이스 물리학 연구에 20 여 년간 종사하며 논문 80 여 편을 발표했다. 그 중 Science 두 편, physical review letters 9 편. 그의 논문은 동행에 의해 1800 회 이상 인용되었다. 쇼 교수는 여러 차례 중국과학원' 걸출한 청년학자',' 해외 유명 학자' 등의 영예를 얻었다. 그는 또한 두 개의 미국 기술 특허를 가지고 있다. 그의 연구는 표면 구조, 표면 흡착, 표면 마스크 성장, 표면 및 인터페이스의 전자 및 기계적 성질을 포함한다. 최근 몇 년 동안 그의 연구팀은 반도체/금속 인터페이스 작업에서 쇼트키겔의 일련의 기초과학 문제를 해결하여 광전지 태양 전지에서의 응용을 위한 좋은 토대를 마련했다. 예를 들면 반도체 박막에 금속 전극을 준비하는 것과 같다.

2008 년 홍콩 중문대학과 중국과학원 협력협의의 틀 아래 쇼욱동 교수와 설야 공작교수는 중국과학원 선전 선진기술연구원 통합기술연구소에 태양광 연구센터를 설립했다. 쇼욱동 교수는 센터 주임, 20 1 1 전업으로 심원에 와서 일한다. 선진 의 대대적 인 지지 아래 광전지 센터 는 2 년 의 작업 을 통해 구리 인듐 갈륨 태양 전지 공예 및 관련 설비 의 연구 에 성공 했 다. 풍부한 구리 인듐 갈륨 관련 설비 의 설계 와 제조 경험 을 깊이 이해 했 다. 광복센터는 중과원이 지원하는' 구리 인듐 갈륨 박막 태양전지 증발-마그네트론 스퍼터링 성장시스템' 프로젝트를 원만하게 완성했고, 검수팀 전문가들은 프로젝트 성과에 대해 "우리나라 고효율 박막전지 연구에 중대한 진전을 보이고 있으며, 구리 인듐 갈륨 박막 배터리 산업화를 더욱 추진하기 위한 기술 기반을 제공한다" 고 평가했다.

교육 경험

학부 (학사)1981.9-1986.7 중국 과학기술대학교 물리학, 중국.

미국 캘리포니아 대학 버클리 분교 물리학 석사 (M.A.)1986.8-1988.7.

미국 캘리포니아 대학 버클리 분교 물리학 박사1988.8-1992 438+02.

비즈니스 경험

20 18.08- 우한 대학 물리학 및 기술 대학 교수

2011.07-2015.01중과원 선전 선진기술연구원 태양광센터 주임

2008 년 5 월-상하이 교통 대학 객원 교수

2007.0 1- 홍콩 중문 대학교 물리학과 교수

2006.07-2006 438+02 홍콩 과학기술대학교 교수

2004.0 1- 중국 과학기술대학교 객원 교수

200 1.0 1-2006 년 6 월 홍콩 과학기술대학교 부교수

1994.08-2000 438+02 홍콩 과학기술대학교 조교수

1993 438+0-1994.08 로렌스 버클리 국립연구소 박사후 과정.

대표적 업적

주요 학술 공헌

1) 국내 기술을 바탕으로 산업화 전망을 가진 구리 인듐 플루토늄 박막 태양전지 설비를 개발해 단기간에 광전변환 효율 17% 의 태양전지를 성공적으로 준비했다. 부품 효율이 12.6% 를 넘어 관련 기술이 국내 선두 수준에 도달했다

2) STM 터널링 스펙트럼을 이용하여 기존의 초전도체가 나노 척도에서 고온 초전도체와 비슷한 위조 틈새를 가지고 있는 것을 발견했다.

3) STM 을 이용하여 나노 터널 매듭을 연구한 결과, 처음으로 양자용량 현상을 실험적으로 확인했으며, 나노 전자 기기의 나노 터널 구조 구축에 중요한 지도의 의의가 있다.

4) 원자력현미경을 이용하여 마찰학을 연구했다. 특히 원자척도의 마찰력을 정량적으로 측정한 결과 유기단분자구조의 질서성과 윤활의 관계가 발견되어 마찰력의 미시기계와 응용분야를 이해하는 데 중요한 의의가 있다. 이론적 계산과 함께 C60 단결정의 표면이 질서/무질서 상전이 부근의 마찰과 접착을 정량적으로 연구하여 C60 회전 자유도가 에너지 소산에 영향을 미치지 않는다는 것을 증명했다.

5) 합작으로 스캐닝 편광현미경을 발명한 결과 상온에서 운모 표면에 형성된 물막이' 얼음' 구조를 가진 것으로 처음 밝혀졌다. 이 성과는' 물' 에 대한 인식을 심화시키고, 이 분야의 일련의 이론과 실험 작업을 촉발하고 자극했다.

6) 처음으로 선형 광학 회절을 이용하여 표면 확산을 연구하고 확산의 비등방성, 표면 커버리지와 불순물 효과의 관계를 성공적으로 연구하여 표면 확산 측정의 장기적 난제를 해결했다. STM 측정에 기반한 단일 원자/분자 표면 확산의 새로운 모델을 개발하여 금속/반도체 인터페이스의 형성과 상호 작용을 심도 있게 연구했다.

지도나 주재한 중요한 프로젝트.

1994-2002 년 동안 홍콩 연구개발국 등의 기관을 주재하는 1 1 프로젝트는 편폭의 제한으로 포함되지 않았다.

대표 작품

1) "aligned ZnO/CdTe core-shellnanocablearraysonidiuminoxide: synthesis and photo electro chemical proxide

2) "pseudogamediated by quantum-sizeeffectsinleadlaisles", phys.rev.lett.102,07688 장, 해추; 로이, MMT 장, T-C; 쇼, 서동 * (통신원, 하동)

3) "intermiingfintra-basin and inter-basin diffusionfasingleagatomonsi (11)- 첸, 그냥; 장 천; 로이, MMT 쇼, 서동 *

4) "quantumdiffuationofhonpt (111): step effects", phys. 양,; 로이, MMT 쇼, 서동 *

5) "싱글 Cu, Ag 및 uaatomsadsoredonsi (111)-(7x7) 의 실험 및 이론 연구

6) "timedependenttunnelingspectrocopyforstudyingsurfacediffionconfinedinnano structures", Phys.Rev.Lett.94 장 천; 로이, MMT 쇼, 서동 *

7)' 유효 가시광선발광탄소나노튜브 템플릿', 물리평론익스프레스, 93,017402 (2004 년), 곽, 양, 리, 백, 유, 리, 왕, 상

8)' 60 분자 회전이 나노 마찰학에 미치는 영향', 물리통신 90, 146 102(2003), 빔, TsuiOKC, XuYB, LiHN

9)' 커패시턴스의 비고전적 행위', 86,5321-5324 (2006,5438+0), 후계국,, 왕욱서, 왕한경, 서

10) "imagingthesecondensionandevaporation of molecularlythinfilmsofwater with nanometer resolution"

특허

1) "기기 조직 유동성 및 Danddi 전기 재료 Swiss scanning organization for democracy" 특허 번호: 5,744,704, 미국, 20 년, Jun

2)' 화학연구를 위한 스캔극화 이미징 그레퀴녹 살린 전자재료 방법' 특허 번호: 5,880,360, 미국, 20 년, 준, 후, D. Frank Ogletree, Miquelsalmonen

3) "구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄 박막 태양 전지 장비", 특허 번호: 20 10 10507303.4, 중국, 류장, 쇼욱동;

4) "박막 광전지 및 그 제조 방법", 신청 번호: 200910108711. X, 중국, 송추명, 쇼욱동, 강길붕, 돌, 류장, 진망수.

5) "구리 인듐 갈륨 셀레늄 박막 배터리 준비 방법", 신청 번호: 2010 20 10 10278999.8, 중국, 말 우주, 쇼욱동, 류장.

6) "무카드뮴, 구리, 인듐, 갈륨, 박막 태양 전지 부품 및 황화 아연 완충막의 제조 방법", 신청 번호: 20111020888. X, 중국, 류장, 루, 하범, 쇼욱동.

7) "스웨이드가 있는 구리 인듐 갈륨 박막 배터리 및 그 제조 방법", 신청 번호: 201110179746. X, 중국, 쇼욱동, 송추명, 육지.

8) "박막 태양전지", 신청번호: 20110189919.6, 중국, 쇼

9)' 박막 태양전지 표면 자체 정렬 전극 제작 방법', 신청번호: 2011193085.6, 중국, 이우비, 쇼욱동

10) "구리 인듐 갈륨 박막 태양 전지 부품 및 광 흡수층 준비 방법", 신청 번호: 20110331329.2

1 1) "구리 인듐 갈륨 셀레늄 박막 태양 전지 광 흡수층 준비 방법", 신청 번호: 20111 X, 중국, 쇼욱동, 류장, 양춘뢰, 왕효봉.

12)' 태양전지와 제조방법 및 태양전지도면', 신청번호 1 105 14cn, 쇼욱동, 장셰추

13)' 태양전지와 제조방법', 신청번호 1 105 15cn, 쇼욱동, 장셰추;

14)' 반도체 박막 제조 장치 및 방법', 신청번호 1 105 16CN, 쇼욱동, 장셰추