N-영역을 작성합니다. Si 를 InGaN 에 주입하는 목적은 MQW 에 N 형 영역을 생성하는 것입니다. Si 라이닝 GaN 전력 장치의 장점은 주로 중저압 분야에 있다. Si 를 GaN 발광 다이오드의 라이닝으로 사용하면 LED 의 제조 비용을 크게 절감하고 특허 독점 문제를 해결할 수 있습니다.