삼성전자는 세계 최초로' 10 나노 DRAM' (동적 랜덤 액세스 메모리) 의 양산 시대를 열었다. 삼성전자는 지난 2 월부터 세계에서 가장 작은10nm (18nm) 8GB DDR4 (이중 데이터 속도 4)DRAM 이 상업생산에 진입했다고 5 일 밝혔다. 현재 다른 경쟁업체들은 25-30 나노미터 DRAM 을 생산하는 수준에 머물러 있으며, 이제 막 20 나노미터 제품의 양산을 시작했다. 중국 반도체 업체들은 중국 정부의 집중 지원 아래 한국 기업을 외경심을 불러일으키고 있다. 삼성의 움직임은 기술적 우위를 강조하지만 중국 기업들은 분명히 따라잡을 것이다.

DRAM 컨셉트 주식: 300042 랑코 기술, 600584 장전 기술, 600 17 1 상하이 북령, 002 106 라이보코, 06

메모리 칩 컨셉트주: 600783 루신창투 (화신 반도체 입주), 600360 화웨이 마이크로전자.