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반도체의 역사 발전은 어떤 것이 있습니까?
반도체의 발견은 사실상 오래 전으로 거슬러 올라간다.

1833 년 전자학의 아버지 영국 과학자 패러데이는 먼저 황화은의 저항이 온도에 따라 일반 금속과 다르다는 것을 발견했다. 일반적으로 금속의 저항은 온도가 높아짐에 따라 증가하지만 바라디는 황화은 재료의 저항이 온도가 높아지면 감소한다는 것을 발견했다. 반도체 현상이 발견된 것은 이번이 처음이다.

곧 1839 년에 베커는 반도체와 전해질 접촉으로 형성된 매듭이 조명 아래 전압을 생성하는 것을 발견했다. 이것이 나중에 사람들이 말하는 광전지 효과다. 이것이 발견된 반도체의 두 번째 특성이다.

1873 년 영국의 Smith 는 반도체의 또 다른 독특한 성질인 광하에서 플루토늄 결정체 재질이 증가하는 광전도 효과를 발견했다.

반도체의 이 네 가지 효과 (네 가지 동반 효과의 발견, 간샤홀 효과의 나머지 결과) 는 1880 년 전에 잇따라 발견됐지만 반도체라는 용어는 처음에는 Kauniberg 와 Weiss 가 약19/Kloc 에 있었다 반도체의 네 가지 특징을 요약하면 벨 실험실은 6 월 1947+2 월까지 완성되지 않았다.

1874 에서 브라운은 일부 황화물의 전도가 가한 전기장의 방향과 관련이 있다는 것을 관찰했습니다. 즉, 전도성은 방향성이 있고, 양끝에 DC 전압을 더하면 전도성이 발생합니다. 전압극성이 반전되면 전도가 되지 않는다. 반도체의 정류 효과이자 반도체 특유의 세 번째 특성이다. 같은 해 슈스터는 구리와 산화구리의 정류 효과를 발견했다.

확장 데이터:

역할 기여도:

1, 영국 과학자 패러데이 (마이클 패러데이, 179 1~ 1867)

그는 전자기학에 많은 공헌을 했지만, 그가 1833 에서 발견한 반도체 재료 중 하나로 잘 알려져 있지 않다.

황화은, 저항이 온도 상승에 따라 낮아졌기 때문에, 당시에는 좀 이상할 뿐, 큰 불꽃을 일으키지 않았다.

그러나 오늘날 우리는 온도가 높아짐에 따라 격자 진동이 더욱 심해져서 저항이 증가한다는 것을 이미 알고 있다. 하지만 반도체의 경우 온도 상승으로 자유유류자의 농도가 높아져 전도에 도움이 되는 반도체의 중요한 물리적 성질이기도 하다.

2. 독일 볼랑 (1850~ 19 18).

황화물의 전도율은 전압을 가하는 방향과 관련이 있는데, 이것은 반도체의 정류이다.

그러나 1906 년까지 미국 모터 발명가 피카드 (1877~ 1956) 는 금속과 실리콘 또는 황화납의 접촉으로 인한 정류를 이용하는 최초의 솔리드 전자 부품을 발명했다.

정류 이론 방면에서 독일의 Walter Schottky (1886 ~1976) 는 1939 년 독일 물리학 잡지에 정류 이론에 관한 중요한 논문을 발표했습니다. 그는 금속과 반도체 사이에 장벽이 존재한다고 생각하는데, 그 주된 원인은.

3. 블로흐 (펠릭스 블로흐, 1905~ 1983)

그는 이와 관련하여 중요한 공헌을 했고, 그의 정리는 전자파 함수에 주기 항목을 추가하는 것이었는데, 이는 밴드 이론에서 처음이다.

한편, 독일인 Pailes (1907~) 는 1929 에서 거의 완전히 채워진 밴드를 가리키며, 그 전기적 특성은 양전하가 있는 전하로 설명할 수 있다. 이것이 공혈 개념의 유래다.

그가 나중에 제기한 섭동 이론은 에너지 격차의 존재를 설명했다.

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