SDRAM:SDRAM, 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리 (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 는 PC 에서 가장 널리 사용되는 스토리지 유형이었습니다. 오늘날에도 SDRAM 은 여전히 시장에 자리잡고 있습니다. "동기식 동적 랜덤 액세스 메모리" 는 작동 속도가 시스템 버스 속도와 동기화되었음을 의미합니다. SDRAM 메모리는 PC66, PC 100, PC 133 과 같은 다양한 사양으로 나뉘며, 사양 뒤의 숫자는 PC 100 과 같이 메모리가 제대로 작동하는 최대 시스템 버스 속도를 나타냅니다
시스템 버스 속도와 동기화, 즉 시스템 시계와 동기화하여 불필요한 대기 시간을 방지하고 데이터 저장 시간을 줄입니다. 또한 동기화를 통해 스토리지 컨트롤러는 데이터 요청에 사용되는 클럭 펄스 주기를 알 수 있으므로 펄스가 올라가면 데이터를 전송할 수 있습니다. SDRAM 은 3.3v 작동 전압,168 핀 DIMM 커넥터, 대역폭 64 비트를 사용합니다. SDRAM 은 메모리뿐만 아니라 비디오 메모리에도 사용됩니다.
DDR SDRAM: 엄밀히 말하면 DDR 은 DDR SDRAM 이라고 불러야 합니다. 사람들은 DDR 이라고 부르는 데 익숙합니다. 일부 초보자들은 흔히 DDR SDRAM 을 보고 SDRAM 이라고 생각한다. DDR SDRAM 은 이중 데이터 속도 SDRAM 의 약어로, 이중 속도 동기화 동적 랜덤 액세스 메모리를 의미합니다. DDR 메모리는 SDRAM 메모리를 기반으로 개발되었으며 여전히 SDRAM 프로덕션 시스템을 사용합니다. 따라서 메모리 공급업체의 경우 일반 SDRAM 을 제조하는 장치를 조금만 개선하면 DDR 메모리를 생산할 수 있어 비용을 절감할 수 있습니다.
SDRAM 은 클럭 주기 동안 데이터를 한 번만 전송하며 클럭 상승 주기 동안 데이터를 전송합니다. DDR 메모리는 한 클럭 주기 동안 두 번 데이터를 전송하며, 시계의 상승 기간과 하강 기간 동안 한 번 데이터를 전송할 수 있으므로 이중 속도 동기화 동적 랜덤 액세스 메모리라고 합니다. DDR 메모리는 SDRAM 과 동일한 버스 주파수에서 더 높은 데이터 전송 속도를 제공합니다.
DDR 은 SDRAM 보다 고급 동기화 회로를 사용하여 지정된 주소 및 데이터 전송 출력의 주요 단계를 독립적으로 실행하고 CPU 와 완전히 동기화합니다. DDR 은 DLL (지연 잠금 링) 기술을 사용합니다. 데이터가 유효하면 스토리지 컨트롤러는 이 데이터 필터 신호를 사용하여 데이터를 정확하게 찾고 16 회 출력한 후 다른 스토리지 모듈의 데이터를 재동기화할 수 있습니다. 기본적으로 DDL 은 클럭 주파수를 늘리지 않고 SDRAM 속도를 두 배로 높일 수 있습니다. 클럭 펄스의 상승 및 하강 시 데이터를 읽을 수 있으므로 표준 SDRA 의 두 배입니다.
DDR 과 SDRAM 은 모양과 볼륨 면에서 크게 다르지 않습니다. 크기와 핀 거리가 같습니다. 그러나 DDR 에는 184 개의 핀이 있으며 SDRAM 보다 16 개 더 많으며 주로 제어, 시계, 전원, 접지 등 새로운 신호가 포함되어 있습니다. DDR 메모리는 SDRAM 에서 사용하는 3.3V 전압을 지원하는 LVTTL 표준 대신 2.5V 전압을 지원하는 SSTL2 표준을 사용합니다.
DDR2 상세 정보
RDRAM: RDRAM:RDRAM(RAMBUS DRAM) 은 미국 램버스 (RAMBUS) 가 개발한 메모리입니다. DDR 및 SDRAM 과는 달리 직렬 데이터 전송 방식을 사용합니다. 출시 당시 메모리 전송 방식이 완전히 바뀌었기 때문에 기존 제조 프로세스와의 호환성을 보장할 수 없었고, 메모리 업체들은 가나에서 특정 로열티를 내야 RDRAM 을 생산할 수 있었고, 자체 제조 비용도 더해져 RDRAM 이 출시되는 순간부터 일반 사용자는 높은 가격을 받아들일 수 없었다. (데이비드 아셀, Northern Exposure (미국 TV 드라마), Northern Exposure (미국 TV 드라마), 예술명언) 동시에 DDR 은 저렴한 가격과 우수한 성능으로 점차 주류가 되고 있습니다. RDRAM 은 인텔의 강력한 지지를 받았지만 결코 주류가 된 적이 없다.
RDRAM 의 데이터 저장 비트 너비는 16 비트이며 DDR 및 SDRAM 의 64 비트보다 훨씬 낮습니다. 그러나 주파수면에서 양자보다 훨씬 높아서 400MHz 이상에 달할 수 있다. 마찬가지로 클럭 주기는 데이터를 두 번 전송하고, 클럭 상승기와 하강기에는 데이터를 한 번 전송할 수 있으며, 메모리 대역폭은 1.6Gbyte/s 에 이를 수 있습니다 .....
일반 DRAM 행 버퍼의 정보는 메모리에 다시 기록된 후 보존되지 않으며 RDRAM 에는 이러한 정보를 계속 유지하는 특성이 있으므로 메모리에 액세스할 때 행 버퍼에 대상 데이터가 있으면 사용할 수 있어 고속 액세스가 가능합니다. 또한 데이터를 수집하여 패킷으로 전송할 수 있으므로 처음부터 24 개의 시계를 사용하면 나중에 1 개당 1 바이트를 읽을 수 있습니다. 한 번의 액세스로 읽을 수 있는 데이터 길이는 256 바이트까지 가능합니다.
서버 메모리
서버 메모리는 메모리 (RAM) 로 외관과 구조적으로 일반 PC (PC) 메모리와 크게 다르지 않습니다. 주로 ECC, ChipKill, 핫 플러그 기술 등 새롭고 독특한 기술 때문입니다. , 높은 안정성과 오류 수정 성능을 가지고 있습니다.
서버 메모리의 주요 기술:
(1)ECC
일반 메모리에서는 패리티라는 기술이 자주 사용됩니다. 패리티 코드는 오류 감지 코드에 널리 사용됩니다. 데이터의 각 문자 (또는 바이트) 에 검사 비트를 추가하여 문자의 모든 홀수 (짝수) 검증 오류를 감지합니다. 그러나 패리티에는 한 가지 단점이 있습니다. 컴퓨터가 바이트 오류를 감지하면 위의 상황에 따라 새로운 메모리 오류 수정 기술인 ECC 가 생성됩니다. ECC 자체는 메모리 모델이 아니며 메모리별 기술도 아닙니다. 그것은 컴퓨터 지침의 각 분야에 광범위하게 적용되는 명령어 오류 수정 기술이다. ECC 의 영어 전체 이름은 "Error Checking and Correcting" 이고 해당 중국어 이름은 "error checking and correcting" 입니다. 이 이름에서 알 수 있듯이, 그것의 주요 기능은' 잘못을 발견하고 바로잡는 것' 이다. 패리티 보정 기술보다 더 진보된 측면은 오류를 발견할 수 있을 뿐만 아니라 오류를 수정할 수 있다는 것입니다. 이러한 오류가 해결되면 컴퓨터는 다음 작업을 올바르게 수행하고 서버가 제대로 작동하는지 확인할 수 있습니다. 메모리 구조 및 저장 속도에 영향을 주는 기술이 아니기 때문에 메모리 모델이 아닙니다. 앞서 언급한 "패리티 보정" 스토리지와 마찬가지로 다양한 스토리지 유형에 적용할 수 있습니다. 이것도 기억이 아니다. 에도 메모리는 이 기술을 최초로 적용했고, 지금도 SD 를 사용하고 있다. ECC 메모리의 광범위한 사용은 주로 SD 메모리에서 비롯되며, 새로운 DDR 및 RDRAM 에도 그에 따른 어플리케이션이 있습니다. 현재는 주류입니다.
(2) 칩
Chipkill 기술은 IBM 이 서버 메모리의 ECC 기술 부족을 해결하기 위해 개발한 것으로, 새로운 ECC 메모리 보호 표준입니다. ECC 메모리는 단일 비트의 오류만 동시에 감지하고 수정할 수 있다는 것을 알고 있지만, 두 개 이상의 비트에 대한 데이터 오류가 동시에 감지된다면 일반적으로 우리는 아무것도 할 수 없습니다. 현재 서버 메모리가 ECC 기술을 광범위하게 사용하고 있는 것은 이전의 다른 새로운 메모리 기술이 아직 성숙하지 않았기 때문에 시스템 속도가 현재 서버에서 여전히 높기 때문이다. 일반적으로, 이 주파수에서 동시에 여러 비트 오류가 발생하는 경우는 거의 없다. 이 때문에 ECC 기술이 충분히 인정되고 적용되어 ECC 메모리 기술이 거의 모든 서버의 메모리 표준이 되었습니다.
그러나 인텔 프로세서 아키텍처 기반 서버의 CPU 성능은 기하급수적으로 향상되고 하드 드라이브의 성능은 동시에 몇 배밖에 향상되지 않기 때문에 충분한 성능을 얻기 위해 서버는 CPU 에서 읽어야 할 데이터를 임시로 저장하는 데 많은 메모리가 필요합니다. 이러한 대용량 데이터 액세스로 인해 단일 메모리 칩에 액세스당 4 개 (32 비트) 또는 8 개 (64 비트) 를 제공해야 합니다 이렇게 많은 데이터를 한 번에 읽으면 여러 비트 데이터 오류의 가능성이 크게 높아지지만 ECC 는 두 개 이상의 오류를 수정할 수 없어 모든 비트 데이터가 손실되고 시스템이 곧 충돌할 수 있습니다. IBM 의 Chipkill 기술은 메모리의 하위 구조 방법을 이용하여 이 문제를 해결한다. 메모리 하위 시스템은 다음과 같이 설계되었습니다. 단일 칩, 데이터 폭에 관계없이 지정된 ECC 식별 코드 중 하나에만 영향을 줍니다. 예를 들어, 4 비트 폭 DRAM 을 사용하는 경우 4 비트 각 비트의 패리티는 서로 다른 저장 공간 주소에 저장되는 단일 데이터 비트에 저장된 서로 다른 ECC 식별 코드를 형성합니다. 따라서 전체 메모리 칩에 장애가 발생하더라도 각 ECC ID 에는 최대 1 개의 불량 데이터가 있습니다. 이는 ECC 논리를 통해 완전히 복구될 수 있으므로 스토리지 하위 시스템의 내결함성과 서버 장애 시 강력한 자가 복구 기능을 보장할 수 있습니다. 이 메모리 기술을 사용하는 메모리는 4 개의 잘못된 데이터 비트를 동시에 검사하고 복구할 수 있으므로 서버의 신뢰성과 안정성이 더욱 보장됩니다.
(3) 등록
레지스터는 레지스터나 카탈로그 레지스터로, 메모리에서의 역할은 책의 카탈로그로 해석될 수 있다. 이를 통해 메모리가 읽기 및 쓰기 명령을 받으면 먼저 디렉토리를 검색한 다음 읽기 및 쓰기 작업을 수행하면 서버 메모리의 생산성이 크게 향상됩니다. 레지스터가 있는 메모리에는 버퍼가 있어야 하며, 현재 볼 수 있는 레지스터 메모리에도 ECC 기능이 있으며, 주로 IBM Netfinity 5000 과 같은 중급형 서버 및 그래픽 워크스테이션에 사용됩니다.
일반적인 서버 메모리 유형
현재 서버에서 일반적으로 사용되는 메모리는 SDRAM 과 DDR 의 두 가지입니다.