이 이름은 특히 미량 및 비접촉 변위 센서와 관련이 있다. 그들은 항상 거의 모든 변위 변화가 얻어지는 응용에 사용되며, 물체를 측정할 힘이 없습니다. 이러한 응용 프로그램에서는 매우 민감한 표면이 접촉을 허용하지 않거나 긴 수명 센서의 요구 사항 (마모 없음) 에 부과될 수 있습니다. 오늘날의 용량 성 변위 센서와 비교할 때, 개발 및 생산 수준은 최고의 측정 정확도와 신뢰성을 달성했습니다.
용량 변위 측정 방법은 이상적인 평면 콘덴서의 원리를 기반으로 합니다. 극판 간격 변화로 인한 총 용량 변화. 센서 시스템이 있는 두 개의 평면 전극은 센서와 목표에 의해 형성된다. 교류 상수 주파수가 있는 전류가 센서 콘덴서를 통과할 경우 센서의 교류 전압 범위는 대상 (접지 전극) 까지의 거리에 비례합니다. 평면 콘덴서에 대한 리액턴스 XC 의 특수 계산을 통해 추가 선형화 없이 엄격한 비례 관계를 얻을 수 있습니다. 실제로 선형 저작권은 센서에 의해 콘덴서로 설계된 보호 고리가 거의 이상적입니다. 이것은 목표의 전도성에 관계없이 모든 금속에 적용된다.
반도체 측정 대상의 전도율이 상대적으로 낮은 금속에 비해 측정 원리에 악영향을 미친다.' 목표 중 전하 이동 부족' 이 있기 때문이다. 이 경우 예를 들어 측정점에 적절한 조명을 추가하여 치료제가 대상의 전도율에서 "인공" 이라는 것을 알 수 있습니다. 이 효과를 "광전도" 라고 하며, 대상 재질의 전도성을 높일 수 있으며, 많은 크기가 접점식 센서의 응용을 촉진한다.
보호 링 용량 원리, 최대화된 신제품 시리즈인 capaNCDT 6 100 은 적절한 장점을 활용합니다. 광범위한 센서 제품군은 200 미크론 측정부터 시작되며, 큰 모델의 변위는10mm 에 달한다 .. 컴팩트형 컨트롤러와 함께 사용할 경우 2 kHz, 해상도 0.0 1% 인 경우 6/kloc-0 9-36 V A 의 전원 전압이 필요합니다. 0- 10 V 를 출력할 수 있습니다.
"이리듐 별에서"