이 시대의 맥락에서, 어떻게 이 세분화 분야에서 양질의 기업 목표를 선택할 수 있습니까? 먼저 국내외 주요 전력 반도체 기업들의 데이터를 정리한 후 가로방향 비교 관찰을 통해 질적인 판단을 받았다.
1..1.1지배 주주 배경
회사의 대주주 화윤그룹은 중앙기업의 다양화 자산 관리 플랫폼이다. 회사 전신은 1983 으로 거슬러 올라가야 하는데, 당시 전 대외무역부 제 4 기계부, 제 7 기계부, 화윤그룹이 홍콩에 합작하여 홍콩 화과전자회사를 설립하여 국내 최초의 4 인치 결정원 생산 라인을 세웠다. 다년간의 발전과 일련의 통합을 거쳐 현재 국내에서 중요한 영향력을 지닌 종합적인 IDM 반도체 기업이 되었다.
회사의 발전 과정을 보면 화윤미가 오늘 전력 반도체 분야에서 선두를 달리고 있는 것은 대주주들이 자본 운영에 지속적으로 투자한 결과이다. 미래의 화윤미는 여전히 대주주의 지지를 받아 빠른 확장을 이룰 것이다.
1..1.2 화윤미한 제품과 기술:
1)A * * 회사에는 5 개의 웨이퍼 생산 라인이 있습니다. 무석에는 연간 약 247 만 개의 6 인치 생산 라인이 있습니다. 연간 73 만 벌의 8 인치 생산 라인. 충칭에서, 우리는 8 인치 생산 라인을 가지고 있는데, 연간 생산 능력은 약 60 만 건이다. 충칭의 8 인치는 주로 회사 자체의 제품에 서비스된다. 이 두 8 인치 선은 모두 20 1 1 으로 만들어졌으며 지금은 감가상각되었습니다.
2) 회사의 전력 반도체는 주로 MOSFET, IGBT, SBD 및 FRD； 가 있는 전력 장치와 전력 IC 로 나눌 수 있습니다. 을 눌러 섹션을 인쇄할 수도 있습니다 전원 공급 장치 IC 제품은 주로 전원 관리 칩 시리즈입니다. 이 중 MOSFET 은 20 18 년 매출 규모가 16 억으로 영비의 52 억과 앤슨의 3 10 억에 뒤져 9% 의 시장 점유율을 차지하고 있다.
3) 화윤마이크로IGBT 제품의 주요 응용은 감지 난방, UPS, 인버터, 주파수 변환기, 모터 구동, 산업용 전력 등이다. 영비링의 기준에 따르면 이 회사는 현재 양산되고 있는 IGBT 제품 기술이 영비링 IGBT 4 세대 제품과 비슷하다. 회사의 5 세대 IGBT 제품은 현재 개발 중이며 2020 년 하반기에 성과가 있을 것으로 예상되며 이를 바탕으로 다양한 애플리케이션 주파수의 제품을 속속 개발하고 있다. 또한 회사의 IGBT 제품 계획 경로는 단일 관리 시리즈화 제품을 개발하는 동시에 모듈 제품을 개발하는 것입니다.
4) 3 세대 반도체 재료
회사는 실리콘 기반 GaN 전력 장치의 설계, 가공, 패키징 테스트 기술 및 SiC 전력 장치의 설계, 가공 및 패키징 테스트 기술을 보유하고 있습니다. 현재 회사는 탄화 실리콘 다이오드의 산업화 전야에 처해 있다. 현재 이미 파일럿 생산 라인을 설립하여 1 기 건설 목표를 완성하였다. 1200V 및 650V 실리콘 다이오드가 검토 중이며 2020 년 매출 달성이 예상됩니다. 대상 응용 분야는 태양열 인버터, 통신 전원, 서버, 에너지 저장 장치 등이다. , 탄화 규소 MOSFET 은 적극적으로 개발 중입니다. 또한 회사 질화 갈륨은 현재 연구 개발 단계에 있으며, 600V 실리콘 기반 질화 갈륨 HEMT 부품의 동적 및 정적 매개변수는 기본적으로 표준에 부합합니다.
참고 1: MOSFET 과 IGBT 는 가장 일반적으로 사용되는 두 가지 전력 반도체 장치입니다.
MOSFET 의 내압을 높이기 위해 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (IGBT) 는 MOSFET 에 P+ 레이어를 추가하고 N 베이스 극층과 pn 다이오드를 형성합니다. 폐쇄된 경우 형성된 pn 매듭은 대부분의 분담 전압을 감당하며, 구조의 MOSFET 은 고전압을 견딜 필요가 없어 구성요소의 내압 성능을 높입니다. 따라서 IGBT 는 일반적으로 고전압 전원 제품에 사용되며 전압 범위는 일반적으로 600V-6500V； 입니다. MOSFET 은 10 볼트에서1000v 까지 낮은 적용 전압을 사용하지만 IGBT 는 MOSFET 보다 지연 시간이 길기 때문에 스위치 주파수가 25kHz 미만인 장면에 IGBT 를 사용하고 MOSFET 는 스위치 주파수가1보다 높은 경우에 사용할 수 있습니다.
참고 2: GaN 은 고주파수, 고전력, 전압이 600V 미만인 시나리오에 적합합니다.
질화 갈륨은 고효율 소형화 등의 분야에서 뛰어난 성능으로 무선 주파수 충전 등에서 우세하다. GaN 시장은 성장률이 높고 무선 주파수 및 전력 전자 분야에서 광범위한 잠재 수요가 있습니다. 현재 5G 기지국 가속 건설의 관점에서 볼 때, 그 우월한 성능과 5G 기지국 폭발적 성장에 대한 수요로 인해 GaN 은 빠른 침투와 규모 효과를 더하여 비용을 더욱 낮출 것으로 예상되며, 다시 한 번 하류 분야 전체의 침투율 향상을 도울 것으로 예상된다. (윌리엄 셰익스피어, Northern Exposure (미국 TV 드라마), 성공명언)
주 3: 탄화 실리콘과 SiC 는 600V 이상의 고전력 분야에서 우세하다. 현재 새로운 에너지 자동차, 풍력 및 기타 산업에 적용되었습니다. Yole 에 따르면 20 18 년 SiC 전력 전자기기의 시장 규모는 약 4 억 달러, 2023 년에는 14 억 달러로 증가할 것으로 전망된다. 현재 SiC 는 주로 새로운 에너지 자동차의 충전 말뚝에 사용되며, 미래에는 자동차 설비에서 더 넓은 잠재적 용도가 있을 것으로 예상된다.
1..1.3 표준 국제 헤드 기업 시장 점유율 및 기술 격차
실리콘 마이크로의 전신은 진동 등 자연인 7 명이 1997 년에 창립한 것이다. 2003 년 상장되어 IDM 모델의 통합 반도체 제품 회사로 발전했다. 회사의 경영 전략은 특색 기술을 위주로 멀티미디어 업계에 진출하고, 자신의 기술을 이용하여 축적하고, 흰색 가전제품, 자동차 등 문턱업에 진입하는 것이다.
슬란 마이크로 레이아웃은 주로 네 가지 측면에 있습니다.
1)LED 조명 구동 분야: 제어 칩 및 전력 장치의 기술 및 비용 이점을 활용하여 지능형 조명 시스템의 칩 및 애플리케이션 개발을 가속화합니다.
2)MEMS 분야: 현재 3 축 가속도계, 3 축 지자기 센서, 6 축 관성 장치가 출시되고 있으며 앞으로 기압센서, 적외선 근접 센서 등 MEMS 센서 제품도 속속 출시된다. 주요 응용 프로그램 시나리오는 모바일 스마트 단말기, 스마트 웨어러블, 자동차입니다.
주 2: MEMS (Mechanism Mechanism System) 는 마이크로구조, 마이크로센서, 마이크로액츄에이터, 신호 처리 및 제어 회로, 인터페이스, 통신 및 전원 공급 장치를 결합한 마이크로부품 또는 시스템입니다. MEMS 는 일반 센서에 비해 일반 센서가 도달할 수 없는 IC 실리콘 양산의 비용 이점을 가지고 있으며, 일반 센서가 달성할 수 없는 소형화와 고도로 통합된 장점을 가지고 있습니다.
주 3: 압력 MEMS 의 자동차 적용 시나리오는 자동차 및 산업용 압력 센서 (예: 매니 폴드 압력 센서, 자동차 오일 압력 센서 모듈, 자동차 연료 펌프 센서 모듈 등) 입니다.
주 4: 자동차 분야에서 관성 센서의 응용 장면은 GPS 항법이 사각을 측정하는 데 도움이 됩니다. 자동차 분야에서 관성 센서의 빠른 응답은 자동차 에어백, 안티 록 브레이크 시스템 및 견인력 제어 시스템의 안전 성능을 향상시킬 수 있습니다.
3)IGBT 분야: 고압 고전력 제품 라인 개선: 고압 BCD 공정과 고압 반도체 전력 부품 및 모듈 기술 개발에 대한 투자를 늘리고 IGBT 로 대표되는 전력 부품 제품 및 지능형 전력 모듈 제품을 확대 및 풍부하게 합니다. 새로운 에너지, 고효율 모터 구동, 산업 제어 등의 분야에서의 응용을 확대하다.
4)8 인치 칩 프로젝트: 국가 집적 회로 산업 기금과 지방정부의 지원을 받아 8 인치 집적 회로 칩 생산 라인이 건설되어 생산에 들어갔다. 슬란웨이는 생산능력을 확대하고 특수 공예 분야에서 IDM 모델을 고수한다.
문태기술은 20 19 년 은지포 표준부의 독립회사인 Nexperia 를 인수했다.
안석그룹은 분립소자, 논리부품, MOSFET 제조 및 판매를 전문으로 하는 업체로 50 여 년의 업종 축적, 전문 직원 1 1000 명을 보유하고 있습니다. 안석의 제조 모델은 IDM 입니다. 현재 전 세계적으로 두 개의 제조 라인 (영국 맨체스터와 독일 함부르크) 과 세 개의 봉인 생산 라인 (동관, 필리핀, 말레이시아) 이 있으며, 수정원 생산능력은 약 6 만 조각 (8 인치로 변환) 으로 6543.8+000 억 조각을 봉쇄하고 있다. 회사 수익의 39% 는 바이폴라 트랜지스터와 다이오드, 글로벌 순위1에서 나옵니다. MOSFET 은 총 매출의 25% 를 차지하며 자동차 소신호 분야에서 각각 2 위와 3 위를 차지했습니다. 나머지는 논리 장치와 ESD 보호 장치입니다.
안씨의 중국 시장 점유율은 매우 작으며, 주로 로우엔드이다. 20 18 년, 안성반도체 분립기의 출하량은 모두 900 억 장이다. 소득 규모의 거꾸로 가격을 계산하면 안석 반도체 제품의 평균 단가는 0. 12 위안에 불과하며 국내 동업자인 화윤미보다 0. 15 위안에 불과하다.
1.4. 1 영국 플라잉:
영비릉원은 지멘스 그룹의 반도체 부문이다. 1999 년 4 월 1 일 독일 뮌헨에 공식 설립되어 2000 년에 출시되었습니다. 2002 년 이후 영비링 테크놀로지사로 이름을 바꿨다.
Yingfeiling 은 세계 10 대 반도체 솔루션 리더입니다. 주요 업무로는 자동차, 산업용 전력 제어, 전력 및 센서 시스템, 디지털 보안 솔루션 등이 있습니다. 주요 제품에는 전력 반도체, 센서 및 무선 주파수가 포함됩니다. 이 회사의 IGBT 제품은 원시 칩, 분립 부품, 모듈 등 다양한 전압과 전류 수준을 제공하는 포괄적인 포트폴리오를 제공하며, 이 중 IGBT 모듈은 전 세계 시장 점유율 1 위를 차지하고 있습니다.
재정적 특징: 1) 매출 증가 둔화 2) 총 이자율은 상승 (20 19 는 거의 35%), 순 이자율은 20 18 부터 하락 (5% 미만), R&D 비용/소득 (/KLOC
2065438+2009 년 6 월, 사이프라스를 87 억 달러로 인수했습니다.
2020 회계연도 3 분기에 우리는 부동산, 공장 및 설비, 무형 자산 및 자본화 개발 비용에 2 억 6 천 6 백만 유로를 투자했습니다. 반면 지난 분기는 2 억 4700 만 유로였다. 물론 마지막 분기에는 백나무가 없었다. 감가 상각과 상각 (비지부 실적의 영향 포함) 은 총 386,543.8+0 만 유로로, 앞서 언급한 PPA 사이프라스의 공정가치 상각과 관련된 5,200 만 유로, 사이프라스 잔여자산의 지속적인 감가 상각 7,800 만 유로를 포함한다.
1.4.2 안센미
1999 는 모토로라의 반도체 부서에서 벗겨졌다.
지난 20 년 동안 이 회사는 기존의 표준 반도체와 분립체에서 아날로그 반도체와 신호 제품, 센서, 완벽한 시스템 수준 칩 (SoC) 에 이르기까지 제품 포트폴리오를 대폭 확대했습니다. 앤슨 반도체는 주로 데이터 센터의 서버, 통신 인프라 및 사물의 인터넷과 같은 자동차, 산업 및 클라우드 전원 어플리케이션에 초점을 맞추고 있습니다. IGBT 분야에서는 동종 최고의 IGBT 기술과 가장 광범위한 IGBT 포트폴리오를 제공하는 탁월한 장점을 갖추고 있습니다.
현재 앤슨 반도체 총매출은 약 55 억 달러이다. 전력 반도체 분야에서 앤슨 반도체는 세계 2 위, 영비링 다음으로 두 번째입니다.
인수합병 (17 배 설립) 을 통해 안센미는 빠르게 성장했다. 특히 비조 반도체를 인수한 뒤 세계에서 두 번째로 큰 전력분립소자 반도체 공급업체다.
2020 년에 회사는 475 명을 감원할 것이다. 감원 계획은 상반기에 완성될 것으로 예상되지만 앤슨은 감원 직원에 대한 보조금 계획을 공개하지 않았다.
영비링과 앤슨의 데이터 정리, 유럽 시장 반도체 산업의 발전 역사를 살펴보면 다음과 같은 사실을 알 수 있다.
1.M&A 는 반도체 기업 성장의 표준이다. 반도체 산업에서 M&A 의 동기는 전통 산업과 현저히 다르다. 전통 업종 간의 인수합병은 종종 주식에서 발생하며, 인수합병은 홍해 시장의 가격전 압력을 완화할 수 있다. 하지만 반도체 업계의 M&A 는 증분 시장에서 진행되고 있으며, M&A 의 동기는 종종 미리 대비하고, 레이아웃을 앞당기고, 향후 경쟁에서 업계 주도권을 선점하는 경우가 많습니다. 예를 들어 Intel 20 16, Intel 은 창업회사 Nervana, Mobidius 를 인수했습니다. 이후 인텔은 AI 칩 회사를 인수하는 길에 20 17 의 모빌예, 20 19 의 이스라엘 스타 HabanaLabs 를 인수했다. 영위다와 인텔의 멜란ox 쟁탈과 최근 영위다의 Arm 인수. 이들 인수는 모두 인공지능, 변두리 컴퓨팅 등 블루오션 시장의 패주 지위에 초점을 맞추고 있다.
위의 이해를 바탕으로, 우리는 미래가 국내 기업의 기술 반복 과정과 국내 대체 과정과 함께, 반드시 대량의 기업 인수합병을 동반하기 때문에, 대주주가 강력한 자본 운영력을 가지고 있는지 여부를 발견할 수 있다. 이 본토 기업이 업계 선두적 잠재력을 가질 수 있는 핵심 유전자 퍼즐이 될 것이다. (존 F. 케네디, Northern Exposure (미국 TV 드라마), 성공명언)
2. 국제 헤드기업 R&D 비용 투입의 지속적인 개선과 높은 비율은 중요한 재무 특징이며, 국내 기업 비용 지출의 목적은 주로 생산능력 확장이다.
기술 추격자인 중국 기업은 기술 R&D 능력으로 장기적인 경쟁 우위를 점하고 있지만, 중국 기업의 주력군은 기술 R&D 가 아니라 생산능력 확장이다. 이것은 다음을 의미합니다.
1) 우리의 전력 반도체 산업은 아직 낮은 수준의 원시 축적 단계에 있다.
2) 이 분야의 R&D 기술 업그레이드 반복 속도가 뒤처지고 생산능력이 급속히 확장된다는 것은 이 분야의 과잉 경쟁의 위험을 간과해서는 안 된다는 것을 의미한다.
일반적으로 Dell 은 한 회사의 핵심 경쟁력과 장기 경쟁 우위를 분석하여 세 가지 재무제표를 결합하여 회사의 가치와 관리 능력을 평가합니다. 그러나 전력 반도체 분야에서는 이런 분석 모델이 적용되지 않는다. 경쟁력 측면에서 볼 때 슬란웨이든 화윤미든 국내 전력 반도체 기업 대부분도 기술 추격 단계에 있기 때문이다. 시장의 끝과 자산 지향적인 특성은 그들의 재무 성과가 특별히 매력적이지 않을 운명이다. 그렇다면 이들 기업에 투자하는 기본 논리는 무엇일까? 그것은 국내 대체의 맥락에서 급속한 성장이다. 국내 대체는 현재 국내 주기의 공급망 안전에 대한 수요이다.
바로 이런 기본 논리를 바탕으로 반도체 회사 분석 프레임워크를 구축하는 요점이다.
1) 비즈니스 사이클의 특성
2) 기업이 급성장하는 자질은 주로 기술 축적 (내생 성장), 자본 통합 능력 (외연 성장), 생산능력 규모 (실적 방출, 자본 투자 및 평가 절하 압력 고려), 관리 능력 등이다.
자본 통합 능력은 주로 대주주 배경에 달려 있으며, 경영진의 능력은 경영진 이력서와 기업의 장기 실적을 통해 관찰할 수 있다. 기술 축적은 기업의 생산 라인 계획과 주요 고객에 달려 있다.
내 의견으로는, 가장 중요한 것은 이 업계의 상업 주기를 확정하는 것이다. 산업경기 기간 동안 정부의 각종 정책의 지원을 받아 국내 본토 기업들이 빠른 성장 단계를 맞이할 것으로 전망된다. 따라서 주기적인 판단은 이 고성장 산업에 투자하는 가장 중요한 문제이며, 국내 대체의 큰 맥락에서 국내 기술이 낙후된 고성장 기술 기업에 투자하는 것이 안전한지 여부에 대한 근거이기도 하다.
위의 그림 1- 그림 3 을 참조하면 다음과 같은 중요한 특징을 볼 수 있습니다.
관찰 1: 국내 반도체 기업의 성장경기가 글로벌 업계 경기와 거의 동기화되었다.
관찰 2: 20 15-20 17 기간 동안 슬란웨이는 클라우드 컴퓨팅과 자동차 전자가 주도하는 세계 반도체 산업보다 성장률이 현저히 낮았다.
논의할 만한 것은 무엇이 관찰 2 를 발생시켰는가 하는 것이다.
제 자신의 이해는 20 15-20 18 기간 동안 슬랜웨이의 기술 업그레이드 반복이 천장을 만나 기업들이 두 번이나 그런 글로벌 반도체 업계 열풍을 따라잡을 수 없다는 것입니다. 한편, 슬란웨이의 로우엔드 제품으로 인해 마진율 자산 수익률이 계속 상승하고 있다 (그림 4 참조). 한편, 슬란웨이는 R&D 투자와 기술 업그레이드의 생산능력 확장을 적극 확대하고 있다.
그림 4: 클라우드 컴퓨팅, 큰 데이터가 반도체의 기술 업그레이드를 촉진합니다.
연구 개발 비용 비율 관찰
자본 가격과 시장 성과의 상관 관계
미시적 (슬로언 미시) 과 거시적 (신만반도체와 필라델피아 반도체 지수의 역사적 가치) 을 비교함으로써 다음과 같은 두 가지 중요한 발견을 할 수 있습니다.
1) 복합 성장 특성 (아래 표 1 참조) 을 보면 슬랜웨이로 대표되는 국내 반도체 IDM 기업은 업계 로우엔드 기술 추격자에 속하며 제품 협상 능력이 떨어진다. 슬란웨이의 역사적 성장 데이터와 함께 기술의 추종자로서 가치 창출 능력은 협상력과 평가절하 압력으로 인해 장기적으로 제한될 수 있다.
2) 현재 국내 정책 경사, 국내 대주기 높은 공급망 안전을 중시하는 맥락에서 국내 전력 반도체 기업은 따라잡고 있지만 성장 공간은 크다. 이 분야의 장기 투자 가치는 주로 기술 업그레이드 반복 기대의 점진적 실현에 달려 있다. 이러한 맥락에서 기술 업그레이드 반복의 장기적 개선은 종종 시장의 낙관적 기대보다 뒤처진다.
출처 저자 코투원