일찍이 1907 에서 일부 반도체 재료로 만든 다이오드가 정방향으로 통할 때 빛을 발하지만 1969 까지는 일정한 발광 효율을 가진 적색 발광 다이오드가 생산되지 않았다. 1994- 1995 명 파란색 LED 개발 성공, 1998 년 실제 비즈니스. 2000-2002 년 동안 R&D 직원들은 가격 대비 성능을 지속적으로 추구해 led 가 휴대폰 백라이트 시장에 성공적으로 진출했습니다. 지금까지 LED 는 30 년 이상 생산되었습니다. 다양한 유형의 LED, LED 가 2 차 개발한 제품, LED 와 함께 제공되는 제품 (예: 백색 LED 드라이브) 이 빠르게 성장하고 있으며 신제품이 계속 출시되어 새로운 산업으로 발전했습니다. LED 기술 개발의 길에 대해 가장 흥미진진한 이야기는 블루 LED 를 개발할 때 실리콘 카바이드 (SiC) 와 질화 갈륨 (GaN) 의 다툼이다. 이것은 또한 많은 R&D 팀이 파란색 LED 컴포넌트 개발에 전념할 때 고통스러운 선택을 해야 하는 완전히 다른 두 가지 길이다. 그동안 국제적으로 많은 대기업들이 SiC R&D 에 투자했다. 이에 따라 일본 일아화학공업주식회사 (Nichia Chemical Industries Ltd) 연구원인 Shuj Nakamura 는 1994 와 1995 의 질화 갈륨 (GaN) 에 있다. R&D 인사의 중대한 돌파구는 소니, 도시바를 포함한 각 주요 업체 고위층의 잘못된 결정에 따른 기술 낙후에 대한 사과를 불러일으켰다. 나카무라의 기술 돌파로 질화 갈륨 (GaN) 진영이 본격적이고 빠르게 SiC 를 추월하게 했다. 형광체 업무에 종사했던 일아는 블루레이 LED 기술에서의 성공으로 연간 매출액이 약 6543.8+ 억 달러에서 2003 년 9 억 달러로 급속히 증가했다. 원래 회사에서 나카무라에게 줄 특허상은 200 만 엔이었다. 한 차례의 소송이 내려지자 지아는 연구원 2 억 엔에게 판결을 받았다. 블루 LED 기술의 돌파로 화이트 LED 는 디스플레이, 지시, 휴대폰 광원에서 파이프 라인의 LCD TV 백라이트에 이르기까지 다양한 새로운 기회의 문을 활짝 열고 있습니다. LED 는 1960 년대 실리콘 (Si) 반도체 기술 이후 III-V 계열 화합물 반도체에서 발전한 반도체 부품이다. LED 의 발광 원리는 반도체의 전자와 공혈을 이용하여 광자를 발사하는 것이다. 3000 도가 넘는 고온에서 작업해야 하는 전구와는 달리 형광등처럼 고압을 사용하여 전자빔을 자극할 필요가 없다. LED 는 일반 전자 부품과 마찬가지로 2-4V 의 전압만 있으면 실온에서 정상적으로 작동하므로 수명이 기존 광원보다 길다. LED 가 방출하는 색상은 주로 전자와 공혈이 함께 방출되는 에너지에 달려 있으며, 이는 사용된 반도체 재료의 에너지 틈에 의해 결정된다. 같은 재료의 파장은 매우 가깝기 때문에 각 LED 의 빛깔은 매우 순수하다. LED 는 기존 광원에 비해 디지털 광원입니다. LED 칩의 크기는 용도에 따라 자유롭게 자를 수 있으며, 일반적으로 사용되는 크기는 약 0.3- 1.0mm 로 기존 전구나 형광등보다 훨씬 작습니다. 사용하기 쉽도록 led 는 일반적으로 수지로 캡슐화되어 5mm 정도의 다양한 모양으로 제작되어 매우 견고하고 내진적입니다.

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