그라 핀의 가열 원리는 단일 층 그라 핀의 특성을 기반으로합니다. 먼저, 그라핀은 지금까지 열전도율이 가장 높은 재질로, 열전도율이 매우 좋다. 둘째, 그라핀은 실온에서 유류자 (전도성 이온) 가15000cm/(V S) 로 실리콘 재질의 10 배로 유류자 이동률이 가장 높은 인듐 (InSb) 의 두 배 이상이다.

그라핀은 광학, 전기, 역학 성능이 뛰어나 재료과학, 마이크로나노 가공, 에너지, 생물의학, 의약품 수송 등 분야에서 중요한 응용 전망을 가지고 있어 미래의 혁명적인 재료로 여겨진다.

영국 맨체스터 대학의 물리학자인 앙드레 그램과 콘스탄틴 노보쇼로프는 마이크로기계 박리법을 통해 흑연에서 그래핀을 분리하는 데 성공하여 20 10 노벨 물리학상을 수상했다. 그라핀 분말 생산에 일반적으로 사용되는 방법은 기계 박리법, 산화 복원법, SiC 외연 성장법, 박막 생산 방법은 화학기상침착법 (CVD) 이다.

확장 데이터 기계적 속성

그라 핀은 알려진 강도가 가장 높은 재료 중 하나입니다. 동시에 인성이 좋아 구부릴 수 있다. 그라핀의 이론적 영률은 1.0 TPA 에 도달하고 고유 인장 강도는 1.30 GPA 입니다. 수소 플라즈마 개조성 복원 그라핀도 강도가 매우 좋다. 평균 계수가 0.25 MPa[7] 그라핀으로 구성된 흑연지에 구멍이 많아 매우 취약하다. 산화를 통해 얻은 기능화 그라핀을 다시 흑연지로 만들면 매우 강인할 수 있다.

전자효과

실온에서 그라핀의 유류자 이동률은 약15000CM2/(V S) 로 실리콘 소재의 10 배 이상이며 유류자 이동률이 가장 높은 인듐 (InSb) 의 두 배 이상이다. 저온, 그라핀의 캐리어 이동률은 250000cm2/(V S) 까지 올라갈 수 있습니다.

많은 재료와 달리, 그라핀의 전자 이동률은 온도 변화의 영향을 덜 받는다. 50-500K 사이의 모든 온도에서 단일 그라 핀의 전자 이동률은 약15000CM2/(V S) 입니다.

바이두 백과-그라핀