1. 쑤저우 능신 고에너지 반도체 유한공사는' 전략적 선진 전자재료' 중점 프로젝트 20 17 을 맡도록 승인을 받았다.
2.2065438+2007 년 6 월 5 일 중국 과학기술부 하이테크 연구개발센터는' 국가중점 R&D 계획 등 9 개 중점 전문 2065438+2007 년도 프로젝트 배치 공시 통지' 를 발표했다. 곤산고신구의 대대적인 지원과 추천으로 쑤저우 () 는 신고에너지 반도체유한공사가 이끄는' 중전력 범용 전력 고효율 GaN 기반 전력 전자 기술' 을 통해' 전략적 선진 전자재료 전문' 지원을 받았다. 자금 지원 경비는 2423 만 위안이다. 이 프로젝트는 GaN 전력 전자기기의 재료 성장, 부품 준비 및 산업화, 부품 패키징 및 신뢰성 연구, 부품 응용 및 전체 산업 체인 시연을 포함한 네 가지 과제로 구성되어 있습니다. 에너지 반도체가 주도하고, 프로젝트 구성 단위는 중과원 반도체소, 베이징대, 베이징교통대, 난징대, 동남대 등 국내 유명 고교와 과학연구소를 모았다. 강서경 광전기, 삼안 집적 회로 등 국내 GaN 업계 선두 기업과 중전 프리기술, 국전 신에너지 등 대형 중앙기업뿐만 아니라 산학연구가 효과적으로 결합될 것이며, 프로젝트 시행은 전력 전자 분야에서 GaN 재료의 응용을 크게 촉진할 것이다.
3. 고급 재료 특성으로 인해 GaN 재료는 전력 전자 분야에 적용될 때 고효율, 고속, 높은 접합 온도 등의 특징을 가지고 있으며 산업 제어, 전력, 전기 자동차, 태양열 인버터 등에 광범위하게 적용될 수 있습니다. 기술 선두를 유지하기 위해 GaN 전력 전자 방향으로 대량의 기술 비축을 신속하게 할 수 있다. 반도체의 전력 전자 질화 갈륨 다이오드/강화 트랜지스터는 각각 200V 25A 및 600V 10A 의 제품 지표에 도달하여 소량 배치 생산 능력을 갖추고 있다. 기존 기술 기반에 따라 이 R&D 중점 계획의 연구 임무를 신속하게 완수할 수 있다.