현대 입자:
현대회사는 세계 최대 메모리 입자 제조사 중 하나로 중국에 진출한 이후 가짜가 그림자처럼 따라다니며 품종이 매우 많다. 예전에는 소위 현대공장 기억이라고 불렀던 것은 단지 플라스틱 종이를 붙이고 그림을 그리는 것과 같은 수법을 사용했을 뿐인데, 지금은 진짜 가짜가 나왔어요. 자세히 보지 않으면 진짜 가짜에 속아 넘어갈 거예요. 동시에, HY 의 메모리 입자도 항상 규칙적이다. TSOP II 캡슐화된 알갱이를 제외하고 다른 패키지 제품은 전혀 생산되지 않아 가짜의 치명적인 점을 드러냈다. 외관은 아름답지만 결국 가짜의 운명을 피할 수 없다.
현재 주류 메모리 입자에는 기본 주파수가 200MHz 인 D-43 입자와 기본 주파수가 250MHz 인 D-5 입자가 두 가지 있습니다.
하이닉스입자:
영비링과 마찬가지로 하이닉스는 한국 현대전자회사의 자회사였던 현대반도체회사였으며, 이후 모회사에서 독립해 하이닉스로 이름을 바꾼 만큼 엄밀히 말하면 그 제품은 더 이상' 현대메모리' 라고 부를 수 없다.
킹스턴 시리즈:
데뷔는 KINGMAX 보다 늦었지만 국내에서는 벼락치기로 인기를 끌고 있다. 아마도 주된 이유는 기억의 질일 것이다. 마찬가지로 가짜 박스 킹스턴이 시장에 등장했다. 진위를 판별하는 것은 매우 간단하다. 첫째, 정통 씰링 스티커, 인쇄 색상이 풍부합니다. 가짜 상품은 훨씬 저열하다.
비침 포장의 모양을 볼 수 없다면 메모리 알갱이를 보세요. 비용 절감을 위해 가짜는 보통 값싼 잡표 메모리 입자를 사용하며 정품은 주로 삼성과 하이입니다. 하지만 당신은 신중 하 게 입자를 연마 해야 합니다. 또 다른 방법은 메모리의 800 번호로 전화를 걸어 진위를 판별하는 것이다.
삼성 오리지널 입자:
삼성과 현대의 공장 기억은 줄곧 비교적 추앙되어, 지난해 시장에 진출한 이후로 한가한 적이 없고, 위조품에 자주 괴롭힘을 당했다.
현재 삼성공장의 소위 모조품은 이전의 벌크처럼 거칠고, PCB 품질이 나쁘며, 무게는 공장 막대보다 가볍다. 기억 알갱이의 레이저 서체는 공장에서 보면 매우 선명하지만, 가짜 제품에는 흠집이 있다.
메모리 뒷면에는 정품 노선이 분명하고 자연스럽고 가짜가 뒤죽박죽이며, 땜납 접합 품질을 포함해서 누가 가짜인지 한눈에 알 수 있다.
삼성 오리지널 메모리를 위조한 대리점이 위조 방지 기술을 미리 사용하는 것을 막기 위해 실제 메모리에 레이저 삼성금 스티커를 붙이고 공장 포장에 품질 보증카드를 붙였다. 나는 이 위조자들이 큰 가격을 쓰지 않는 한, 정품 액세서리의 품질과 맞서기가 어렵다고 믿는다.
삼성 메모리 입자상의 숫자' TC' 를 기억하는데, 여기서' T' 는 TSOP 포장을 나타낸다.
첫째, 삼성 DDR 시리즈 메모리 바:
삼성 TCB3 입자:
TCB3 는 삼성이 내놓은 6ns DDR 입자로 PC2700, 2-2-2-2-X 에서 안정적으로 작업할 수 있는 타이밍으로 매개변수가 우수합니다. 또한 PC3200 에서도 작동할 수 있지만 이렇게 높은 타이밍을 계속 유지할 수는 없습니다. 200MHz 의 타이밍은 2-3-3-6 이지만 이미 아주 좋습니다. TCB3 의 주파수는 약 230MHz 로 제한되며 기본값은 166MHz 인 메모리에는 매우 큽니다. TCB3 는 전압에 민감하지 않습니다. 3.0V 주파수 상승은 그리 크지 않습니다. 이제 이 입자를 보세요. 좀 구식이에요.
삼성 TCCC 입자:
TCCC 는 삼성 TCC 시리즈 (PC3200) 에서' C' 로 번호가 매겨져 PC3200 에 사전 설정된 CAS 값이 3 임을 나타냅니다. TCCC 는 250-260MHz 및 3-4-4-8 에서 작동할 수 있으며 기본적으로 200MHz 의 2.5-3-3-6 타이밍을 유지할 수 있습니다. TCCC 입자의 가격이 상대적으로 싸기 때문에 현대 D43 과 함께 훌륭한 대표가 되었습니다. 또한 많은 DDR500 메모리가 TCCC 입자를 사용하지만 한계 주파수에 가깝기 때문에 이 메모리에 남아 있는 오버클러킹 공간은 매우 작습니다. 전압은 TCCC 입자의 오버클럭킹에 어느 정도 영향을 주지만 2.8v 에서는 기본적으로 최대 주파수에 도달합니다
삼성 TCC4 입자:
TCCC4: TCCC4 는 삼성의 또 다른 5ns DDR400 메모리 입자이지만 흔하지는 않습니다. 일부 브랜드의 PC3200 로우엔드 메모리, 심지어 PC2700 메모리에서도 볼 수 있습니다. TCC4 4 는 2 10-220MHz, 최대 3-3-3-X 의 타이밍 모드로만 고정될 수 있기 때문에 오버클러킹 사용자에게는 적합하지 않습니다. 전압에 민감하지 않아 용량과 가격 대비 성능을 추구하는 사용자에게만 적합합니다.
삼성 TCC5 입자:
TCC5:TCC5 는 삼성 TCC 시리즈의 신상품으로, 각 방면에서 선배 TCC4 보다 훨씬 좋다. 일반적으로 DDR466 메모리 제품에 사용되며 오버클러킹 성능이 매우 좋습니다. 이 메모리의 기본 작동 주파수는 233MHz 이고, 초기 주파수는 TCC4 보다 높으며, 기본 작동 시퀀스는 2.5-3-3-x 까지 가능하며, 오버클러킹 모드는 250MHz 및 3-4-4-X 에서 작동하므로 전압에 민감하지 않습니다. 이 입자는 TCCC 및 현대 D43 에 비해 흔하지 않으며 가격도 상대적으로 높습니다. AMD AMD 의 경우 Intel 플랫폼의 경우 200MHz 에서 좋은 타이밍 및 오버클러킹 시 좋은 주파수를 제공합니다. 좋은 선택입니다.
삼성 TCCD 입자:
TCCD:TCCD 는 또 다른 고전적인 고주파 입자로, 2-2-2-2-X 의 타이밍에서 220MHz 에서 안정적으로 작동하며, 2.5-4-4-4-x 의 타이밍에서도 300MHz 이상의 주파수에서 안정적으로 작동할 수 있으며 현재 작동 빈도가 가장 높은 DDR 메모리 칩입니다. TCCD 는 전압에 민감하지만, 너무 높은 전압이 없어도 완전히 고효율 상태로 들어갈 수 있으며, 2.8V 이하의 전압으로 실현될 수 있어 거의 모든 메인스트림 보드에 적용됩니다. 현재 TCCD 입자를 사용하는 메모리 제품은 대부분의 마더보드에서 DDR600 수준에 쉽게 도달할 수 있어 다양한 사용자의 요구를 충족할 수 있습니다. BH-5 에 비해 TCCD 의 고주파 매개변수 부족은 더 높은 작동 주파수로 보완할 수 있습니다. 현재 거의 모든 메모리 대역폭 기록은 TCCD 에 의해 만들어졌으며, TCCD 입자를 사용하는 많은 브랜드 메모리도 오버클러킹 게이머들이 추구하는 대상이 되고 있습니다.
삼성 UCCC 입자:
또한 삼성 UCCC 의 짧은 지연 기능도 게이머들의 추앙을 받고 있다. UCCC 입자가 있는 DDR400 메모리 스틱을 선택합니다. 기본 근무 시간은 3-3-3-6 입니다. 240MHz, 2.5-3-3-X 에서 작동할 수 있으며 전압 오버클러킹 모드는 없습니다. 상대 가격도 더 저렴하여 대중의 선택에 매우 적합하다.
삼성 DDR2 시리즈 메모리
GCCC 는 현재 가장 흔한 삼성 입자로 DDR2-400 제품에 많이 쓰인다.
삼성 ZCD5 입자를 사용하는 삼성금 막대 DDR2-533 은 4-4-4-X 타이밍의 DDR2-667 모드에서 안정적으로 작동하며 전압 오버클럭킹이 필요 없고 DDR2-900 에 도전할 수 있습니다.
현재 세계에서 가장 빠른 삼성금조 DDR2-800 은 삼성 ZCE7 입자를 사용하고 있다.
최근 생산된 삼성입자에서 제조사 로고도 이미' 삼성' 에서' SEC' 로 바뀌었다.
DDR2 시대에 삼성은 GC 와 ZC(G 는 FBGA 패키지, Y 는 FBGA-LF), SC 와 YC 시리즈에 전면 진입하여 90nm 의 생산 공정을 채택하여 같은 결정원이 더 많은 입자를 생산할 수 있도록 하여 비용을 절감했습니다. YC 는 가장 작은 포장으로 성능이 가장 뛰어나 현재 시장에서 보기 드물다.
현재 더 일반적인 것은 GCCC (DDR2-400 에 많이 사용됨), * * * 5/ZD5 (DDR2-533 에 많이 사용됨), ***6/GCE6 (DDR2-667 에 많이 사용됨),, 입니다 이 메모리 입자들은 오버클러킹 면에서도 만만치 않은 실력을 가지고 있어 지연 시간이 짧은 스타일을 유지하고 있다. 그러나 번호 변경 (삼성에서 SEC 로 변경) 후 기본 타이밍 매개변수는 보수적으로 설정되었지만 일부 DDR2-533 기본 지연은 여전히 4-4-4- 10 으로 설정되어 있습니다. 일반적으로 삼성 DDR2-533 메모리의 타이밍 매개변수는 3-3-3-4 로 안정될 수 있으며, 장점이 뚜렷하다는 점도 삼성 금괴의 메모리 품질이 매우 좋은 이유 중 하나다. GCCC 및 ***5 입자는 대부분 5-5-5- 15 매개 변수 아래 DDR2-800 이상으로 오버클러킹됩니다. 삼성금괴는 삼성갤럭시의 오리지널 메모리로 대부분 이 알갱이를 사용한다.
KINGMAX 시리즈:
KINGMAX 제품은 TINYBGA 의 패키지 형식으로 유명하며, 공예의 독특성으로 인해 가짜 상품의 생존을 어느 정도 억제했다. 작년에 KINGMAX 는 제품 라인을 풍부하게 하기 위해 TSOP 패키징 기술을 채택한 일련의 SUPER-RAM 을 출시했습니다. 물론, 이것은 가짜 공장에 또 다른 수익성을 가져왔다.
하지만 KINGMAX 도 이 점을 깨닫고 이 메모리 시리즈에 많은 위조 방지 수단을 사용했다. 가장 주목할 만한 것은 PCB 전면의 SPD 아래에 ASIC 칩 (전용 칩) 이 새롭게 설계되었다는 점이다. 입자는 KINGMAX 특허 TinyBGA 기술 패키지, 내부 스토리지 ID 코드, 전 세계적으로 독특합니다. 동시에 800 전화의 조회 스티커를 동봉하여 가짜가 숨을 곳이 없게 하다.
Kingmax 스토리지는 모두 TinyBGA (미니 볼 그리드 어레이) 에 캡슐화되어 있습니다. 그리고 패키지 방식은 특허 제품이기 때문에 Kingmax 알갱이의 메모리 스틱은 모두 공장에서 직접 생산한다. Kingmax 메모리 입자에는 64Mbits 와 128Mbits 용량이 있습니다. 여기에 각 용량 시리즈의 메모리 세분성 모델을 나열할 수 있습니다.
용량 참고 사항:
Ksva 44t 4a0a-64mbits, 16M 주소 공간 × 4 비트 데이터 폭;
KSV 884t 4a0a-64m 비트, 8M 주소 공간 × 8 비트 데이터 폭
Ksv244t4xxx- 128mbits, 32M 주소 공간 × 4 비트 데이터 폭
Ksv684t4xxx- 128mbits, 16M 주소 공간 × 8 비트 데이터 폭;
Ksv864t4xxx- 128Mbits, 8m 주소 공간 × 16 비트 데이터 너비.
Kingmax 메모리는 메모리 작동 속도를 식별하기 위해 모델 뒤에 짧은 선 기호로 구분된 네 가지 상태로 작동합니다.
-7a-PC133/cl = 2;
-7-PC133/cl = 3;
-8a-PC100/cl = 2;
-8-PC100/cl = 3.
예를 들어 Kingmax 메모리 스틱은 16 개의 KSV884T4A0A-7A 로 구성되며 용량은 64Mbits × 16 블록/8 =/kloc 로 계산됩니다
화방 시리즈
화방 (Winbond) 은 대만성의 유명한 메모리 제조사이다. Huabang 에서 생산 한 DDR 메모리 입자는 플레이어의 마음 속에 있으며 다른 어떤 업체도 대체 할 수 없습니다. 화방의 BH-5 메모리 칩은 이미 하이엔드 메모리의 대명사가 되었다.
1, BH-5
BH-5 는 화방에서 가장 유명한 메모리 입자이자 현재 가장 유명한 메모리 입자라고 할 수 있습니다! 이 입자들은 슈퍼 메모리 매개변수로 유명하며 전압에 상당히 민감하다. 대부분의 BH-5 입자는 2-2-2-X 의 매개변수에서 작동할 수 있습니다. 물론 3.2-3.4V 의 고전압 하에서 BH-5 입자를 사용하는 가장 좋은 메모리 중 일부는 280MHZ 주파수에서도 2-2-2-X 의 타이밍을 유지합니다.
물론 이런 체질의 BH-5 입자는 비교적 드물고 메모리에 대한 전반적인 요구도 상당히 높다. 만약 마더보드가 2.8V 이상의 메모리 조절을 지원하지 않는다면, BH-5 알갱이가 있는 메모리는 당신에게 적합하지 않을 수도 있지만, 열광적인 오버클러킹 게이머들에게는 OCZ 의 DDR 부스터가 BH-5 의 모든 에너지를 빨아들이는 데 도움을 줄 수 있습니다. 최대 3.9V 의 전압은 BH5 가 DDR500, 2-2-2 에 쉽게 도달할 수 있습니다. 물론, 정상적인 사용에는 이렇게 높은 전압을 사용하지 않는 것이 좋습니다 (대부분 사용)
2003 년은 BH-5 입자 생산량이 가장 큰 해였지만 현재 화방은 BH-5 입자의 생산을 중단한다고 발표했기 때문에 시장에서 새로 판매되는 메모리 중 BH-5 를 사용하는 비율은 매우 작으며, 대부분 Mushkin Black Level ram, Kingston Hyper X, Co 와 같이 가격이 매우 높은 프리미엄 메모리 중 대부분입니다. 물론 BH-5 메모리를 찾는 또 다른 방법은 판매자의 재고품, 중고시장, 네티즌 사이에서 얻는 것이다.
2, 메탄 -5
CH-5 입자는 화방이 BH-5 에 이어 내놓은 또 다른 DDR400 메모리 제품에 시용 메모리 칩으로 BH-5 의 축소판이라고 할 수 있다. 왜 그렇게 말하죠? CH-5 를 오버클럭킹한 후 작동 매개변수가 2-3-2-X 에 불과하기 때문에 주파수는 약 220-230MHZ 정도이며 BH-5 와는 거리가 멀다. 또한 전압에 대한 민감도는 BH-5 보다 낮으며, 3V 보다 높은 전압은 일반적으로 뚜렷한 효과가 없다. 이 현상은 주로 메모리 입자의 물리적 구성에 의해 결정되지만 메모리 공급업체의 PCB 설계 및 사용된 재료와 관련이 있습니다.
CH-5 입자의 배치마다 큰 차이가 있습니다. 소수의 CH-5 입자도 BH-5 가 달성할 수 있는 결과를 얻을 수 있습니다. 물론 확률은 매우 작습니다. 현재 huabang 은 CH-5 입자를 계속 생산합니다. BH-5 가 단종된 후, 수축판 CH-5 는 점차 많은 프리미엄 메모리에 의해 구입되어 차세대' 일품' 이 되었다. CH-5 입자를 사용하는 많은 메모리가 적절한 압력을 거쳐 200MHZ2-2-2-2-X 모드에서 작동할 수 있습니다. 현재 해적선 XMS, 킹스턴 Hyper X 등 프리미엄 브랜드의 메모리 제품 일부 모델은
3, BH-6
BH-6 은 BH-X 시리즈의 6ns 버전으로도 아주 좋은 표현을 하고 있습니다. 일부 배치의 BH-6 의 오버클러킹 성능은 BH-5 와 비슷하며, 대부분의 BH-6 도 2-2-2-2X 의 매개변수로 작동할 수 있으며 3.2-3.4V 의 전압에서 240-250MHz 에서 안정적으로 작동할 수 있습니다.
하지만 화방은 BH-6 입자를 출시한 지 얼마 되지 않아 생산능력이 부족해 BH-6 입자 생산을 중단했기 때문에 BH-6 입자의 수는 BH-5 입자보다 훨씬 적었다. Mushkin Special 2-2-2, Corsair XMS, Kingston Hyper X, Kingston Value Ram PC2700 등의 메모리 제품은 모두 BH-6 입자를 사용합니다.
4, 메탄 -6
CH-6 은 중국 주 CH-X 시리즈의 6ns 버전입니다. 모두들 화방의 이 로우엔드 DDR 알갱이에 대해 그다지 낙관하지 않지만, 화방 시리즈의 일관된 우수한 품질을 물려받았다. 대부분의 경우 CH-6 과 CH-5 는 비슷하지만 2-2-2-X 의 타이밍을 안정화하기가 쉽지 않습니다. CH-5 와 마찬가지로 전압에 민감하지 않습니다. 최대 작동 주파수는 220MHz 와 2-3-2-X, CH 여야 합니다.
5, UTT
UTT 는 화방의 최신 DDR 메모리 입자로 BH-5 입자와 매우 비슷하다고 할 수 있습니다. 최종 달성 가능한 주파수와 작동 순서에 관계없이 BH5 와는 달리 UTT 입자는 약간의 전압이 필요하기 때문에 대부분의 오버클러킹 플레이어는 UTT 가 3.4-3.6V 에서 작동하도록 선택했습니다.
한 가지 UTT 는 BH-5 입자보다 더 잘 작동합니다. UTT 입자는 양면이나 단면 분포 오버클러킹 성능이 비슷하지만 BH-5 는 단면 분포를 선호하므로 BH-5 시리즈 메모리에 가장 적합한 오버클러킹 조합은 2x256MB 이지만 UTT 는 2x256mb 또는 2x51입니다
UTT 입자를 식별하는 것은 약간 어렵습니다. 입자 표면에 인쇄된 상표를 통해 위에서 언급한 다른 네 가지 중국 메모리 스틱을 쉽게 식별할 수 있습니다. 그러나 인쇄된 UTT 입자의 종류가 다양하여 찾을 때 큰 어려움을 초래할 수 있다. UTT 일반 입자 표면에는 M.Tec 또는 Twinmos 의 상표가 인쇄되어 있으며, 화방 시리즈 스토리지의 특징을 가지고 있습니다 (입자 전면은 두 개의 작은 오목 원을 대칭으로 분포하고, 스토리지 측면에는 두 개의 단거리 금속 막대를 볼 수 있음).
일반적으로 중국 메모리 입자 특성이 있지만 BH-5/CH-5 가 인쇄되지 않은 DDR400 입자는 일반적으로 UTT 입자입니다. UTT 입자의 메모리가 생기면 1GB 용량을 가지고 275MHz 2-2-2-X 타이밍에서 작동할 수 있는 메모리가 얼마나 흥미진진한지 알 수 있습니다. 현재 OCZ 골드 VX 시리즈, OCZ 밸류 VX 시리즈, TwinMos Speed Premium 시리즈 등 브랜드의 저가 메모리에서 볼 수 있습니다. 1GB 용량 가격은 150 달러 안팎으로 매우 경제적입니다.
화방 시리즈 메모리 입자의 특징-입자의 앞면과 왼쪽에 대칭으로 두 개의 작은 오목원이 분포되어 메모리 측면에 두 개의 짧은 거리의 금속 막대를 볼 수 있습니다.
미크론 시리즈 입자
마그네슘계 DDR 메모리 입자는 오버클러킹 성능이 우수하고 호환성이 뛰어난 것으로 유명하다. 많은 오버클러킹 게이머들이' 중용 메모리' 라고 부르는데, 마그네슘 알갱이는 미드티어 분야에서 타의 추종을 불허한다. 현재 흔히 볼 수 있는 DDR 입자는 -5B C/-5B G 시리즈입니다.
1, -5B C
솔직히 마그네슘의 5B 시리즈 입자는 이미 인기가 많을 것이다. 이 -5B C 입자는 매우 높은 주파수에 도달할 수 있을 뿐만 아니라 타이밍이 좋아 보통 230MHz 와 2.5-2-2-2-x 에서 안정적으로 작동할 수 있습니다. CAS 지연은 2.0 이하로 도달할 수 없지만 TRD 와 TRP 가 낮아 타이밍 2 로 안정될 수 있습니다. 물론 작업 빈도가 더 높을 수 있습니다. -5B C 는 전압에도 민감하며 기본적으로 3.0V 에서 250MHz 이상의 최대 주파수에 도달할 수 있습니다.
마그네슘 입자의 성능은 매우 좋다. CAS2.5 는 BH-5 시리즈 CAS2 에 필적할 수 있으며, 이 메모리의 비동기 성능은 매우 좋다. 특히 고급 Athlon64 와 인텔 플랫폼 프로세서 FSB 의 보급에 도움이 된다. 현재 많은 업체들이 출시한 PC3200 메모리는 Magnum 의 이 칩을 채택하고 있는데, 그중 가장 눈에 띄는 것은 일본의 Buffalo 브랜드와 Crucial, OCZ 등의 브랜드이다.
-5B G
-5B G 입자는 전자인 5bc 의 개선된 버전으로, 5ns 칩이지만 도달할 수 있는 최대 주파수는 전자보다 높다. 유명한 Crucial Ballistix 시리즈 스토리지는 이러한 유형의 스토리지 입자를 사용하여 작동 빈도가 높을 뿐만 아니라 스토리지 타이밍도 매우 뛰어납니다.
-5B G 입자는 높은 주파수를 유지하면서 뛰어난 타이밍을 가질 수 있습니다. 대부분의 -5B G 입자는 250-260MHz 및 2.5-2-2-X 타이밍에서 작동할 수 있으며 대부분의 현대 D43/D5 입자보다 우수합니다. 현재 1GB critical Ballistix 의 가격은 약 250 달러입니다. 또한 마그네슘의 원래 DDR400 에서 이 입자를 찾을 수 있습니다.
미광의 메모리 칩 번호는 다음과 같이 설명됩니다.
미광의 일련 번호는 유구한 EDO (일부 특수 장치에서도 사용) 와 향후 DDR-2 칩을 포함한 모든 DRAM 칩의 일련 번호를 통일하기 때문에 매개변수가 많고 패키지 유형에도 납과 무연 패키지가 반영되어 있지만 분류가 명확합니다. 주목할 만하게도 이 칩의 버전은 삼성의 기본 버전과 일치하며, 규칙 갱신은 늦었지만 몇 가지 특별한 규정이 있다. 플래그가 LF, S2, SF, T2 등인 경우 , 제품이 두 개의 코어를 통합하여 스택 패키지라고 생각할 수 있음을 나타냅니다.) 특수 기능은 제품의 일부 옵션 기능을 가리키지만1SDRAM 을 새로 고친 이후 이미 표준 설계이므로 중요하지 않습니다.
칩 구조에서 용량 단위를 나타내는 글자 (K, M, G, 이 세 글자는 모두 잘 알고 있어야 함) 뒤의 숫자는 칩의 비트 폭이다. 앞의 글자와 숫자의 조합을 곱하면 칩의 용량이 bit 가 됩니다. 예를 들어 그림의 예는 32M8 입니다. 즉, 비트 폭은 8bit 이고 32M 을 곱하면 총 용량은 256Mbit 입니다.
미크론 메모리 입자의 용량 감정은 삼성보다 훨씬 간단하다. MT48LC 16M8A2TG-75 번호를 사용하여 미광의 메모리 인코딩 규칙을 설명합니다.
의미:
Mt- 미광의 제조업체 이름입니다.
48 형 메모리. SDRAM； 의 경우 48; 46 은 DDR 을 의미합니다.
LC- 전원 공급 장치 전압. LC 는 3v 를 나타냅니다. C 는 5v 를 나타냅니다. V 는 2.5V 를 나타냅니다
16M8-세분성 메모리 용량은 128Mbits 이며16m (주소) ×8 비트 데이터 너비로 계산됩니다.
A2- 메모리 커널 버전 번호입니다.
TG 포장법, TG 는 TSOP 포장입니다.
-75- 메모리 작동 속도, 즉133mhz; 을 눌러 섹션을 인쇄할 수도 있습니다 -65 는 150MHz 를 나타냅니다.
위의 칩 다이어그램을 예로 들자면, 그 용량은 256Mbit 이고 비트 폭은 8 비트이며 TSOP-II 패키지를 사용하는 것을 볼 수 있습니다. 제품 버전은 1 세대 (버전 번호 없음) 여야 하며 속도는 DDR-400(3-3-3) 이어야 합니다.
예: 미크론 DDR 메모리 1 개는 18 개의 MT46V32M4-75 로 구성되어 있습니다. 메모리는 ECC 기능을 지원합니다. 따라서 각 저장 장치는 홀수 개의 저장 입자입니다.
용량은 용량 32M ×4bit × 16 칩 /8=256MB (메가바이트) 로 계산됩니다.
영비링 시리즈 알갱이
인피니온 (Infineon) 기술은 메모리 업계의 원로로서 SD 시대에 탁월한 오버클러킹 성능과 완벽한 호환성을 갖추고 있습니다. 어떤 사람들은 영비링을 지멘스라고 부른다. 사실 영비링의 전신은 지멘스 반도체 회사였다. SDRAM 시대에 우리는 지멘스라는 글자가 있는 메모리를 자주 보았지만, 지금은 영비링이 이미 독립되어 더 이상 지멘스 메모리라고 부르지 않는다. 현재 영비링에서 많이 사용되는 몇 가지 DDR 메모리 입자는 오버클럭킹에서 좋은 성능을 보이고 있습니다.
1, B5
이것은 영국 비링의 5ns 메모리 입자이지만 해적선 XMS3200 Rev. 3. 1 B5 입자 사용, 기본 설정은 200MHz, 2-3-3-6 타이밍, 상당히 괜찮고 전체적인 특성과 화이기 때문에 보기 드물다 B5 입자는 전압에도 민감하지만 화방 입자만큼 뚜렷하지 않다. 압력을 가한 후에도 오버클럭킹 폭은 보통이며, 2.9-3.0V 의 전압에서는 220-230MHz 에서만 작동하므로 이 전압을 초과하는 것은 시간 낭비입니다.
2, BT-6
이것은 영비의 6ns 입자로, 주로 PC2700 메모리 제품에 쓰인다. B5 와 비슷하지만 오버클러킹 폭에서 후자보다 약간 뒤떨어졌다. 킹스턴의 KVR2700 은 BT-6 알갱이를 사용하여 2 15MHz 의 타이밍, 2.5-3-3-11; 현재 6ns BT-6 은 비교적 낙후되어 있지만 200MHz 와 CAS2.5 수준에 이르기 쉬우므로 더 높은 주파수와 매개변수를 얻으려면 전압에 힘써야 한다. 전반적으로 BT-6 의 장점은 PC2700 의 가격으로 PC3200 의 경험을 제공한다는 것입니다.
3, BT-5
현재 가장 흔한 영비링 DDR400 칩은 BT-5 로 기본 작동 주파수는 240MHz, 3.0-3-3-8 입니다. DDR 400 은 일반적으로 2.5-3-2-X 의 최적화된 타이밍을 가지고 있어 평범해 보이지만 BT-5 는 주파수 승리를 잘하며 전압에 매우 민감합니다. 2.8V 이상, 대부분의 BT-5 입자는 2400 에서 작동할 수 있습니다. 현재 이 BT-5 입자는 이미 영비링 오리지널 PC3200 메모리를 포함한 많은 브랜드에서 사용되어 가격 대비 성능이 좋은 제품입니다.
4, CE-5/BE-5
BT-5 BT-5 200MHz 의 타이밍이 비판받은 후, 영비의 또 다른 5ns DDR 입자가 시장에 진출했다. CE-5 입자는 200MHz 2-3-2-X 에서 안정적으로 작동하며 일부 제품은 260MHz 이상의 주파수에 도달할 수 있습니다. 그러나 현재 CE-5 입자의 스토리지 품질이 고르지 않아 일부 제품은 225MHz 이상으로 안정되지 못하고 있습니다. 또한 새로 출시된 BE-5 입자는 단면 565,438+0.2mb 의 용량을 제공하며 매개변수 또는 제한 속도가 CE-5 보다 우수합니다.
영비링 메모리 칩 번호는 다음과 같이 설명됩니다.
과거에 어떤 사람들은 이것이 현대 (HYUNHAI) 가 HYB 에서 시작한 메모리 칩이라고 생각했지만, 지금은 다시는 이 실수를 범하지 마라. 최근 번호에서 영국은 DDR 과 DDR-2 의 제품 번호를 통일했습니다. 예를 들어 DDR-2 400 과 DDR-400 의 속도 번호는 동일하지만 특정 제품에서 나타내는 의미는 다릅니다. 영비의 번호는 비교적 간단하다 (DDR 메모리는 현재 네 개의 논리적 라이브러리로 구성되어 있기 때문에 영비링은 이 번호를 취소했지만 DDR-2 시대에는 8 개의 라이브러리가 추가되어 이 코드가 있을 것으로 예상된다).
지멘스 메모리 입자 (실제로 위의 잉잉 링)
현재 지멘스 산하의 영비링은 국내 시장에서 두 가지 메모리 입자인 128Mbits 용량의 입자와 256Mbits 용량의 입자만 생산하고 있다. 숫자에는 해당 스토리지의 용량과 데이터 너비가 자세히 나와 있습니다. 영비의 메모리 대기열 구성 및 관리 모드는 입자당 4 개의 저장 장치로 구성됩니다. 따라서 메모리 입자 모델은 작고 쉽게 구분할 수 있습니다.
HYB39S 128400 은 128MB/ 4bits 를 나타내고, "128" 은 입자의 용량을 나타내며, 마지막 세 자리는 메모리의 데이터 폭을 나타냅니다. HYB39S 128800, 즉128mb/8bits 와 같은 다른 것도 마찬가지입니다. HYB39S 128 160 은128mb/16bits 입니다. HYB39S256800 은 256 MB/8 비트입니다.
영비링 메모리 입자 작업 비율은 모형 끝에 짧은 선을 추가한 다음 작업 비율에 치수를 기입하여 표현됩니다.
-7.5- 스토리지의 작동 주파수가133mhz 임을 나타냅니다. 을 눌러 섹션을 인쇄할 수도 있습니다
-8- 스토리지의 작동 주파수가 100MHz 임을 나타냅니다.
예를 들면 다음과 같습니다.
1 킹스턴 메모리 스틱은 16 영비링 HYB39S 128400-7.5 메모리 입자로 생산됩니다. 용량은 128Mbits (메가비트) × 16 chips /8=256MB (메가비트) 로 계산됩니다.
1 Ramaxel 메모리 칩은 8 개의 잉잉 HYB39S 128800-7.5 메모리 입자로 생산됩니다. 용량은 128 메가비트 × 8 칩 /8 = 128 메가비트로 계산됩니다.
남아시아 과학 기술 (남양)
남아시아 메모리 칩 번호는 다음과 같이 설명됩니다.
남아시아의 번호도 SDRAM, DDR SDRAM, DDR-2 SDRAM 으로 통일되어 있어 간결합니다. 칩 구조 면에서 규칙과 미광처럼 논리 은행의 번호 코딩이 없어 자세한 설명은 하지 않습니다. 그러나 Elixir 및 PQI 와 같은 남아시아에서 제조된 많은 메모리 제품도 있지만, 이러한 제품은 매우 드물기 때문에 명확한 코딩 규칙을 발표하지 않았습니다.
엘비다 (엘비다)
알비다는 히타치 (Hitai) 와 NEC (NEC) 의 각 메모리 부서 합병의 결과이므로 제품 번호에는 완전히 다른 두 가지 규칙과 로고가 있습니다. 초기 HM 은 원래 히타치 지부의 연장이었을지 모르지만, 현재는 기본적으로 DD 의 시작 부분에 있는 번호 매기기 규칙으로 옮겨가고 있습니다. 최근 엘비다의 기세가 비교적 커서 생산 판매 형세가 눈에 띄게 호전되었다. 그 칩을 채택한 킹스턴 모듈은 이미 국내에 상장되어 있으며, 앞으로 우리는 점점 더 많은 엘피다 칩을 사용하는 제품을 볼 수 있을 것이라고 믿는다.
Erbida 메모리 번호는 다음과 같이 설명됩니다.
알비다의 수량도 비교적 단일하다. 속도 번호 뒤에는 다른 코드가 있을 수 있습니다. 예를 들어, L 은 저전력 소비를 나타내고, I 는 작동 온도 범위가 넓은 공업 제품 (-40 ~ 85°C) 을 나타내지만, 모두 드물기 때문에 여기서는 더 이상 말하지 않습니다. 또한 코드의 첫 글자 E 는 일반적으로 존재하지 않습니다. 칩에는 DD 의 모양이 바로 E 가 됩니다. Elpida 의 영어 이름입니다.
모세 위틀리치
실리콘 메모리 칩의 일련 번호는 다음과 같습니다.
Mosi 의 일련 번호도 상세하고 명확하지만 칩 구조 열은 이해하기 어렵다. 처음 세 자리는 총 용량이고 마지막 두 자리는 비트 폭 (80=8bit, 40=4bit, 16= 16bit, 32=32bit) 입니다
2003 년 세계 10 대 DRAM 공급업체 순위:
상위 10 위 업체는 삼성 (한국), 미광 (미국), 영비링 (독일), 하이릭스 (한국), 남아시아 (대만 성 남아시아), 엘피다 (일본), 대만 성 모셀비텔입니다
마지막으로, 메인스트림 (MainStream) 업체란 전 세계 DRAM 판매 상위 10 대 공급업체를 의미하며, 많은 모듈 업체들도 자체 메모리 칩을 생산할 수 있다는 점을 강조해야 합니다. 하지만 그것들이 실제로 생산된 것이 아니라 포장일 뿐이라는 점에 유의하십시오! KingMax, Kingston, Wigan (ADATA, VDATA), 우안, TwinMOS 등. 자체 브랜드를 생산하는 칩이 있지만, 스스로 메모리 웨이퍼를 생산하지 않고, 그 큰 공장에서 웨이퍼를 사서 스스로 포장하거나 대체공장을 찾는다.