이중 데이터 속도 SDRAM (DDR SDRAM): 간단히 DDR 이라고 합니다. 133MHz 버스 주파수에서도 대역폭이 2.128gb/에 이를 수 있습니다 DDR 은 3.3V 전압 LVTTL 을 지원하지 않으며 2.5V SSTL2 표준을 지원합니다. 기존 SDRAM 생산 시스템을 계속 사용할 수 있습니다. 제조 비용은 SDRAM 보다 약간 높지만 Rambus 보다 훨씬 낮습니다. 일반 SDRAM 을 제조하는 장치는 약간의 개선만으로 DDR 메모리를 생산할 수 있고 특허 문제가 없기 때문에 향후 가능합니다
DRDRAM (Direct Rambus DRAM) 은 인텔이 주창한 미래 스토리지의 발전 방향입니다. RISC (씬 명령어 세트) 를 도입하여 높은 클럭 주파수에 의존하여 클록 사이클당 데이터 양을 단순화합니다. 작동 주파수는 SDRAM 보다 높지만 (300MHz 이상) 데이터 채널 인터페이스 대역폭은 낮고 16 비트만 있습니다. 작동 시계가 300MHz 인 경우 Rambus 는 각각 시계의 위쪽 및 아래쪽 가장자리를 사용하여 데이터를 전송하기 때문에 데이터 전송 속도가 300×16× 2/8 =1.2GB/에 이를 수 있습니다. 기존 DRAM 과는 달리 핀 정의는 명령에 따라 변경되며 동일한 핀 세트를 주소 선 또는 제어선으로 정의할 수 있습니다. 그것의 핀 수는 일반 DRAM 의 3 분의 1 에 불과하다.
가상 채널 메모리 (VCM) 는 대부분의 최신 마더보드 칩셋이 지원하는 메모리 표준입니다. VCM 은 NEC 가 개발한 새로운' 버퍼 DRAM' 으로, 대용량 SDRAM 은 이 기술을 채택할 것이다. 고속 레지스터에 의해 구성 및 제어되는 소위 "채널 버퍼" 를 통합합니다. VCM 은 기존 SDRAM 과의 높은 호환성을 유지하면서 고속 데이터 전송을 가능하게 하므로 VCM 스토리지를 VCM SDRAM 이라고 합니다. VCM 과 SDRAM 의 차이점은 CPU 처리 여부에 관계없이 처리를 위해 데이터를 VCM 에 제출할 수 있는 반면 일반 SDRAM 은 CPU 를 통해 처리된 데이터만 처리할 수 있다는 것입니다. 이것이 VCM 이 SDRAM 보다 20% 이상 빠른 이유입니다.