1. 메모리 스틱의 탄생 |bNF
CPU 가 작동할 때 하드 드라이브와 같은 외부 스토리지에서 데이터를 읽어야 합니다. 그러나 하드 드라이브는 "창고" 가 너무 크고 CPU 에서 멀리 떨어져 있기 때문에 "원자재" 데이터 전송 속도가 상대적으로 느리기 때문에 CPU 생산성이 크게 떨어집니다! 이 문제를 해결하기 위해 사람들은 CPU 와 외부 메모리 사이에' 작은 창고' 인 메모리를 만들었다. /
메모리 용량은 크지 않지만 일반적으로 수십 ~ 수백 MB 에 불과하지만 전송 속도가 빠르므로 CPU 에 데이터가 필요할 때 미리 메모리에 데이터를 저장하여 CPU 의 급박한 문제를 해결할 수 있습니다. 메모리는 단지 "중간 창고" 일 뿐이므로 데이터를 장기간 저장하는 데 사용할 수 없습니다. 메모리 (random access memory 라고도 함) 는 전원을 끄면 모든 데이터가 손실됩니다. 하드 드라이브는 그렇지 않습니다. %y.)O
2. 일반 메모리 칩,
현재 PC 는 SDRAM, DDR SDRAM, RDRAM 의 세 가지 주요 메모리를 사용하고 있습니다. 꼬치/음 (cross talk 의 약자)
메인스트림 -sdramb
SDRAM (synchronous DRAM) 은' 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리' 입니다. SDRAM 메모리 양쪽에 금색 손가락이 있어 메모리 슬롯에 직접 삽입되므로 이 구조는 영어에서는' 듀얼 인라인' 과' DIMM' 이라고도 합니다. 현재 대부분의 메모리 칩은 이러한 "DIMM" 구조를 채택하고 있습니다. 달러 /Ee
프로세서 프런트 사이드 버스가 지속적으로 개선됨에 따라 SDRAM 은 더 이상 새로운 프로세서의 요구를 충족시킬 수 없으며 이미 주류 시장에서 탈퇴했습니다. E
오늘날의 주류-DDR SDRAM) $ v?
DDR (DDR SDRAM) 은 DDR (double data rate SDRAM) 기술을 사용하는 SDRAM 입니다. Ddr SDRAM 은 일반 SDRAM 과 비교하여 동일한 클럭 주기 동안 두 번 데이터를 전송할 수 있지만 SDRAM 은 한 번만 데이터를 전송할 수 있습니다. : 나
외관상으로는 DDR 메모리와 SDRAM 의 차이가 크지 않고, 길이도 같고, 바늘거리도 같다. DDR 메모리에만 184 핀이 있고, 금손가락에는 하나의 간격만 있고, SDRAM 메모리에는 168 핀, 두 개의 간격이 있습니다. 。 "? 분류: H0B
라디오 및 텔레비전 대학 웨양 캠퍼스 포럼-라디오 및 텔레비전 대학 웨양 캠퍼스 포럼 y
DDR 메모리의 작동 주파수에 따라 DDR200, DDR266, DDR333, DDR400 등의 유형으로 나뉩니다. SDRAM 과 마찬가지로 DDR 은 시스템 버스 주파수와 동기화되지만 이중 데이터 전송이기 때문에 133MHz 주파수에서 작동하는 DDR 은 266MHz 의 SDRAM 에 해당하므로 DDR266 으로 표시됩니다. CX
팁: 작동 주파수는 메모리가 안정적으로 실행될 수 있는 최대 주파수를 나타냅니다. 예를 들어 PC 133 표준 SDRAM 작동 주파수는 133MHz 이고 DDR266 DDR 작동 주파수는 266MHz 입니다. 메모리의 경우 주파수가 높을수록 대역폭이 커집니다. P|B
DDR 메모리에는 작동 주파수 외에 대역폭 값도 표시됩니다. 예를 들어 DDR 266 의 메모리 대역폭은 2 100MB/s 이므로 PC2 100 으로 표시되어 DDR333 은 PC2700 이고 DDR400 은 PC3200 입니다. G99
팁: 메모리 대역폭 ("데이터 전송 속도" 라고도 함) 은 단위 시간 동안 메모리를 통과하는 데이터의 양 (일반적으로 GB/s 로 표시) 을 나타내며 메모리 대역폭 계산 방법을 설명하기 위해 간단한 공식을 사용합니다. 메모리 대역폭 = 작동 주파수 × 비트 폭 /8×n (클럭 펄스의 위/아래 전송 계수, DDR 의 계수는 $%C
DDR 메모리 스틱은 저렴한 가격과 뛰어난 성능으로 오늘날의 메인스트림 메모리 제품이 되었습니다. 구식 귀족 -rdram' 8
RDRAM (메모리 버스 동적 랜덤 액세스 메모리) 은 Rambus 에서 개발한 새로운 DRAM 입니다. RDRAM 의 64 비트 폭은 SDRAM 및 DDR 보다 좁지만 클럭 주파수가 훨씬 높습니다. 외관상 RDRAM 메모리는 SDRAM 및 DDR SDRAM 메모리와 유사합니다. 기술적으로 RDRAM 은 고급 메모리이지만 가격이 비싸기 때문에 마케팅은 실용적이지 않습니다. 오늘날의 RDRAM 은 이미 일반 데스크탑 시장에서 물러났다. Jn^Lm
3. 메모리 xS{
현재 메모리 캡슐화는 주로 TSOP, BGA, CSP 의 세 가지 방식으로 이루어지며, 캡슐화 방식도 메모리 칩의 성능에 영향을 미칩니다. M
TSOP 패키지: TOSP (얇은 폼 팩터 패키지) 의 일반적인 특징은 칩 주위에 많은 핀이 있다는 것입니다. TSOP 는 메인스트림 패키징 방식으로 조작이 편리하고 안정성이 높습니다. X5hwJm
방송대 악양캠퍼스 포럼-방송대 악양캠퍼스 포럼 z~%Kj
BGA 패키지: BGA 는' 볼 그리드 어레이 패키지' 라고 불리며 칩의 핀 수를 늘리고 조립 수율을 높이는 것이 가장 큰 특징입니다. BGA 패키지는 크기가 변하지 않고 메모리 용량을 2 ~ 3 배로 늘릴 수 있습니다. BGA 패키지는 TSOP 보다 작은 크기, 열 성능 및 전기 성능을 제공합니다. #bfzvx
방송대학 악양현 캠퍼스 포럼-방송대학 악양현 캠퍼스 포럼 q-~x:
CSP 패키지: 차세대 패키지로서 CSP (칩 레벨 패키지) 는 성능이 크게 향상되었습니다. CSP 캡슐화는 크기가 작고 얇기 때문에 메모리 칩의 장기 작동 신뢰성을 높이고 칩 속도를 크게 높일 수 있습니다. 현재 이 패키징 방식은 주로 고주파 DDR 메모리에 사용됩니다. S}#[_
라디오 및 텔레비전 대학 웨양 캠퍼스 포럼-라디오 및 텔레비전 대학 웨양 캠퍼스 포럼 3
1. 클럭 주기 (TCK) 초 [{
TCK 는 "클럭 주기 시간" 의 약자, 즉 메모리 클럭 주기입니다. 메모리가 실행할 수 있는 최대 작동 주파수를 나타냅니다. 숫자가 작을수록 메모리를 실행할 수 있는 빈도가 높습니다. 클럭 주기는 스토리지 작동 주파수의 역수, 즉 TCK = 1/f 입니다. 예를 들어'-10' 으로 표시된 메모리 칩은 작동 클럭 주기가 10ns 임을 나타냅니다 B}a{? 다섯；오；5
2. 액세스 시간 (TAC)/h+L
TAC (CLK 의 액세스 시간) 는 "액세스 시간" 을 나타냅니다. 클럭 주기와 달리 TAC 는 데이터에 액세스하는 데 필요한 시간만 나타냅니다. 예를 들어, "-7j" 라고 표시된 메모리 바는 메모리 액세스 시간이 7ns 임을 나타냅니다. 액세스 시간이 짧을수록 메모리 스틱의 성능이 향상됩니다. 예를 들어 두 개의 메모리가 133MHz 에서 작동하고, 한 메모리의 액세스 시간은 6ns 이고, 다른 메모리는 7ns 이므로 전자가 후자보다 빠르다. 여덟；팔
3.CAS 지연 시간 (CL)8
CL(CAS Latency) 은 스토리지 성능의 중요한 지표로 스토리지의 세로 주소 펄스의 응답 시간입니다. 컴퓨터가 메모리에서 데이터를 읽어야 하는 경우 실제 읽기 전에 일반적으로 "버퍼 기간" 이 있으며 "버퍼 기간" 길이는 이 CL 입니다. 메모리의 CL 값이 낮을수록 좋습니다. 따라서 CAS 주기를 단축하면 동일한 주파수에서 스토리지의 작동 속도를 높일 수 있습니다. F43}e
4. 패리티 (ECC)HIIA^
메모리는 데이터 전송 "웨어하우스" 입니다. 빈번한 전송 과정에서 데이터 오류가 발생하면 어떻게 합니까? ECC 는 데이터 검사 메커니즘입니다. ECC 는 데이터의 정확성을 판단할 수 있을 뿐만 아니라 대부분의 오류를 수정할 수 있습니다. 이 메모리는 보통 일반 PC 에는 사용되지 않고, 일반적으로 하이엔드 서버 컴퓨터에서는 사용됩니다. OK9pld
현재 시장에서 주류 메모리는 SDRAM 과 DDR SDRAM 으로 메모리 칩 브랜드는 주로 승창, 킹스턴, 삼성, 우첨, 군위, 현대 등이 있다.