첫째, RAM (Random Access Memory) RAM 은 컴퓨터 전원이 켜질 때 운영 체제 및 어플리케이션의 모든 실행 데이터 및 프로그램이 배치되고 언제든지 저장된 데이터를 수정하고 액세스할 수 있다는 특징이 있습니다. 그 일은 지속적인 전력 공급이 필요하다. 시스템 전원이 꺼지면 시스템에 저장된 모든 데이터와 프로그램은 자동으로 비워지고 복구할 수 없습니다. 구성 요소에 따라 RAM 메모리는 0 1 의 18 가지 유형으로 나눌 수 있습니다. DRAM (dynamic random access memory): 가장 일반적인 RAM 입니다. 전자관과 콘덴서가 비트 저장 장치를 구성합니다. DRAM 은 각 메모리 비트를 비트 스토리지 장치의 전하로 저장하여 콘덴서를 충전하고 방전하여 저장합니다. 그러나 콘덴서 자체에는 누전 문제가 있으므로 몇 마이크로초마다 새로 고쳐야 합니다. 그렇지 않으면 새로 고쳐야 합니다. 액세스 시간은 방전 시간과 일치하며 약 2 ~ 4 ms 이며, 비용이 낮기 때문에 일반적으로 컴퓨터에서 기본 스토리지로 사용됩니다. 02.SRAM (정적 RAM) 은 정적입니다. 즉, 스토리지에 있는 데이터는 언제든지 액세스할 필요 없이 오래 머무를 수 있습니다. 6 개의 튜브마다 1 비트 저장 장치가 구성되는데, 커패시턴스가 없기 때문에 지속적으로 충전할 필요 없이 정상적으로 작동하기 때문에 일반 동적 임의 처리 메모리보다 빠르고 안정적이며 캐시로 자주 사용됩니다. 3.VRAM (비디오 RAM) 의 주된 역할은 비디오 카드의 비디오 데이터를 디지털 아날로그 변환기로 출력하여 그래픽 디스플레이 칩의 작업량을 줄이는 것입니다. 이중 데이터 포트로 설계되었습니다. 하나는 병렬 데이터 출력 포트이고 다른 하나는 직렬 데이터 출력 포트입니다. 고급 그래픽 카드의 고급 메모리에 많이 사용됩니다. 04.FPM DRAM 의 향상된 버전은 주로 72 핀 또는 30 핀 모듈입니다. 한 사람의 데이터에 액세스할 때 기존 DRAM 은 행 및 열 주소를 한 번 전송하여 데이터를 읽고 써야 합니다. 그러나 행 주소가 FRM DRAM 에 의해 트리거된 후 CPU 에서 요구하는 주소가 같은 줄에 있으면 행 주소 대신 열 주소를 연속적으로 출력할 수 있습니다. 일반 프로그램과 데이터의 주소가 메모리에 연속적으로 배열되어 있기 때문에 이 경우 행 주소와 열 주소를 연속적으로 출력하여 필요한 데이터를 얻을 수 있습니다. FPM 은 메모리를 5 12B 에서 몇 KB 까지 여러 페이지로 나눕니다. 연속 영역에서 데이터를 읽을 때 빠른 페이지 교환 모드를 통해 각 페이지의 데이터를 직접 읽을 수 있어 읽기 속도가 크게 향상됩니다. 96 년 전, 486 시대와 펜티엄 시대 초기에 FPM DRAM 이 널리 사용되었습니다. 05.EDO DRAM (extended data output DRAM) FPM 이후에 나타나는 메모리입니다. 보통 72 핀, 168 핀 모듈입니다. FPM DRAM 과 같이 각 데이터에 액세스할 때 일정 기간 동안 행 및 열 주소를 출력하지 않아도 됩니다. 그런 다음 읽기 및 쓰기 작업이 완료될 때까지 유효한 데이터를 읽고 쓸 수 있습니다. 따라서 출력 주소의 대기 시간을 크게 줄일 수 있으며 일반적으로 FPM 모드보다 15% 정도 빠르게 액세스할 수 있습니다. 일반적으로 미드레인지급 이하의 펜티엄 보드에 대한 표준 메모리에 적용됩니다. 후반 486 시스템은 에도 DRAM 을 지원하기 시작했고 1996 년 후반부터 에도 DRAM 을 실현하기 시작했다. 。 06. bedo DRAM (burst extended data out dram) 이것은 미광이 제안한 향상된 edo dram 입니다. 칩에 주소 카운터를 추가하여 다음 주소를 추적합니다. 이는 버스트 읽기 모드입니다. 즉, 데이터 주소를 보낼 때 나머지 세 개의 데이터 각각을 한 번에 한 주기만 읽는다면 EDO DRAM 보다 한 번에 여러 데이터 세트에 액세스할 수 있습니다. 그러나 BEDO DRAM 메모리를 지원하는 마더보드는 매우 적고, 소수의 마더보드만 지원 (예: APOLLO VP2 를 통해) 하기 때문에 곧 DRAM 으로 대체되었다. 07.MDRAM(Multi-Bank DRAM, multi-slot dynamic random access memory) 은 MoSys 가 제안한 스토리지 사양으로, 여러 가지 다른 범주의 작은 라이브러리, 즉 여러 종속 작은 단위 행렬로 구성됩니다 각 저장 장치는 외부보다 더 높은 데이터 속도로 상호 연결되며, 일반적으로 고속 그래픽 또는 가속 카드에 사용되며, 소수의 마더보드는 L2 캐시에 사용됩니다. 08.WRAM(Window RAM) 한국 삼성이 개발한 메모리 모델은 VRAM 메모리의 개선된 버전이다. 차이점은 제어 회로에 1 ~ 20 개의 입/출력 컨트롤러가 있으며 EDO 의 데이터 액세스 방식을 사용하므로 속도가 빠르다는 것입니다. 또한 전문적인 도면 작업에 적용할 수 있는 블록 이동 기능 (BitBlt) 도 제공합니다. 09.RDRAM(Rambus DRAM, 고주파 동적 랜덤 액세스 메모리) 램버스 (Rambus) 가 자체적으로 설계한 스토리지 모델로, 일반적으로 500~530MB/s 의 속도로 DRAM 의 10 배 이상입니다. 메모리 컨트롤러는 이 메모리를 사용한 후 상당한 변경이 필요하기 때문에 전문 그래픽 가속 어댑터나 비디오 게임기의 비디오 메모리에 주로 쓰인다. 10.SDRAM (동기식 동적 랜덤 액세스 메모리) CPU 외부 클럭과 동기화할 수 있는 메모리 모드입니다. 일반적으로 168Pin 메모리 모듈을 사용하며 작동 전압은 3.3V 입니다. 클록 동기화란 메모리가 CPU 와 동시에 데이터에 액세스할 수 있고 대기 기간을 취소하고 데이터 전송 지연을 줄여 컴퓨터의 성능과 효율성을 높이는 것을 의미합니다. 1 1.S GRAM (동기식 그래픽 RAM) 은 SDRAM 의 향상된 버전입니다. 블록 (즉, 32 비트당) 을 기준으로 액세스한 데이터를 개별적으로 검색하거나 수정하여 스토리지의 전체 읽기 및 쓰기 횟수를 줄입니다. 또한 드로잉 요구 사항에 드로잉 컨트롤러를 추가하고 SDRAM 보다 훨씬 효율적인 블록 이동 기능 (BitBlt) 을 제공합니다. 12.SB SRAM (동기식 버스트 SRAM) 일반 SRAM 은 비동기적입니다. CPU 의 빠른 속도에 적응하기 위해서는 작업 시계를 13 으로 바꿔야 합니다. Pb SRAM (파이프라인 버스트 SRAM), 파이프라인 버스트 정적 랜덤 메모리에서 CPU 의 주파수 속도가 빠르게 향상되어 일치하는 스토리지에 대한 요구가 높아지고 있습니다. 동시 폭발 SRAM 대신 파이프라인 폭발 SRAM 을 사용하는 것은 불가피한 선택입니다. 액세스 시계를 효과적으로 연장하여 액세스 속도를 높일 수 있기 때문입니다. 14.DDR SDRAM (double data rate synchronous dynamic random access memory) 은 SDRAM 의 교체품으로 두 가지 주요 특징을 가지고 있습니다. 하나는 속도가 SDRAM 의 두 배입니다. 둘째, DLL (지연 잠금 링) 을 사용하여 데이터 필터 신호를 제공합니다. 이것은 현재 메모리 시장의 주류 모델이다. 15. SLDRAM (Synchronize Link) 확장 SDRAM 구조 메모리로, 고급 동기화 회로를 추가하면서 논리 제어 회로를 개선했지만 기술적 전시로 인해 실천에 옮기기가 어렵지 않습니다. 16.CDRAM (캐시 DRAM) 미쓰비시 모터사가 처음 개발한 특허 기술입니다. DRAM 칩의 외부 핀과 내부 DRAM 사이에 SRAM 을 보조 캐시로 삽입합니다. 현재 거의 모든 CPU 에는 효율성을 높이기 위한 레벨 1 캐시가 장착되어 있습니다. CPU 클럭 주파수가 두 배로 늘어남에 따라 캐시가 선택되지 않은 영향이 점점 더 심각해지고 캐시 DRAM 이 제공하는 2 차 캐시는 CPU 1 차 캐시의 부족을 보완하므로 CPU 효율성이 크게 향상됩니다. 17. DDR ii (double data rate synchronous dram, 2 세대 동기식 2 배 속도 동적 랜덤 액세스 메모리) 는 DDR 의 원래 SLDRAM 컨소시엄이 1999 해체 후 향후 새로운 표준입니다 DDRII 의 세부 사양이 아직 결정되지 않았습니다. 18. drdram (direct RamBus dram) 은 rambus 에서 설계하고 개발한 차세대 메인스트림 메모리 표준 중 하나입니다. 모든 핀은 동일한 * * * * 를 가진 버스에 연결되어 컨트롤러의 크기를 줄이고 데이터 전송 효율성을 높일 수 있습니다. 둘째, ROM (읽기 전용 메모리) ROM 은 가장 간단한 반도체 회로입니다. 마스크 기술을 통해 한 번에 제조됩니다. 조립품이 정상적으로 작동하는 동안에는 코드와 데이터가 영구적으로 저장되며 수정할 수 없습니다. 일반적으로 PC 시스템에 적용되는 프로그램 코드, 마더보드의 BIOS (basic input output system) 등. RAM 보다 읽기 속도가 훨씬 느립니다. 컴포넌트에 따라 ROM 스토리지는 1 의 다섯 가지 유형으로 나눌 수 있습니다. 마스크 ROM (MASK ROM) ROM 메모리를 양산하기 위해 공급업체는 먼저 원시 데이터로 ROM 또는 EPROM 을 샘플로 만든 다음 대량으로 복제해야 합니다. 이 샘플은 Mask ROM 입니다. MASK ROM 에 기록된 데이터는 절대 수정할 수 없습니다. 그 비용은 상대적으로 낮다. 2.PROM (프로그램 가능 ROM) 이것은 기록 장치로 데이터를 쓸 수 있지만 한 번만 쓸 수 있는 ROM 메모리이기 때문에 OTP-ROM 이라고도 합니다. PROM 은 1 으로 출고되며, 필요에 따라 일부 단위를 데이터 0 에 쓸 수 있습니다 (일부 PROM 은 데이터 0 으로 출고되므로 1). "프로그래밍" 목적을 위해 일부 단위를 쓸 수 있습니다. 3.EPROM (erasurable program read memory) 삭제 후 다시 프로그래밍할 수 있는 삭제 가능한 ROM 메모리입니다. 글을 쓰기 전에 IC 카드의 투명 창을 자외선으로 비춰 내용을 지워야 한다. 이 칩은 쉽게 식별할 수 있으며, 그 포장에는' 시기적절한 유리창' 이 있다. 프로그래밍된 EPROM 칩의 "적시 유리창" 은 일반적으로 직사광선을 방지하기 위해 검은색 스티커로 덮여 있습니다. 4.EEPROM (Electronic Programmable Read Management) 은 EPROM 과 기능 및 사용법이 동일합니다. 단, 데이터의 제로 (0) 방식은 20V 안팎의 전압으로 제로를 제거한다는 점이 다릅니다. 또한 전기 신호를 사용하여 데이터를 쓸 수 있습니다. 이 ROM 메모리는 주로 플러그 앤 플레이 (PnP) 인터페이스에 사용됩니다. 5. 플래시 메모리 IC 를 분리하지 않고 마더보드의 내용을 직접 수정할 수 있는 메모리입니다. 전원이 꺼져도 그 안에 저장된 데이터는 손실되지 않습니다. 데이터를 쓸 때 새 데이터를 쓰기 전에 원본 데이터를 지워야 합니다. 단점은 데이터 쓰기 속도가 너무 느리다는 것이다.