트랜지스터는 쇼클리(Shockley), 바딘(Bardeen), 브래튼(Bratton)으로 구성된 연구팀이 발명했다.

1947년 12월, 미국 벨 연구소의 쇼클리, 바딘, 브래튼으로 구성된 연구팀이 점접촉 게르마늄 트랜지스터를 개발했다. 트랜지스터의 출현은 20세기의 주요 발명이자 마이크로 전자공학 혁명의 전조였습니다. 트랜지스터의 출현 이후, 사람들은 크고 전력 소모가 많은 전자관을 소형이고 전력 소모가 적은 전자 장치로 대체할 수 있게 되었습니다.

트랜지스터의 발명은 집적회로의 탄생을 알리는 나팔소리를 울렸다. 20세기 첫 10년 동안 반도체 재료가 통신 시스템에 사용되기 시작했습니다. 20세기 전반에 라디오 매니아들 사이에서 널리 유행했던 광물 라디오는 광물 등의 반도체 소재를 탐지용으로 사용했다. 반도체의 전기적 특성은 전화 시스템에도 사용됩니다.

3단자 트랜지스터는 주로 바이폴라 트랜지스터(BJT)와 전계 효과 트랜지스터(FET, 유니폴라)의 두 가지 범주로 나뉩니다. 트랜지스터에는 3개의 극(단자)이 있으며, 바이폴라 트랜지스터의 3개 극(단자)은 N형 및 P형 반도체 필드로 구성된 이미터(Emitter), 베이스(Base) 및 컬렉터(Collector)입니다. 효과 트랜지스터의 (단자)는 소스, 게이트 및 드레인입니다.

트랜지스터에는 3개의 전극이 있기 때문에 이를 사용하는 세 가지 방법이 있습니다. 즉 이미터는 접지되고(이미터 증폭, CE 구성이라고도 함) 베이스는 접지됩니다(***베이스라고도 함) 증폭, CB 구성) 및 컬렉터 접지(***컬렉션 증폭, CC 구성, 이미터 팔로워라고도 함).

위 내용 참고: 바이두백과사전—트랜지스터