Wip: (K= (질화 갈륨 +GaN))*(T=MOCVD+R=MOCVD)

CNKI: (키워드 = 질화 갈륨 또는 키워드 =GaN) 및 (제목 =MOCVD 또는 요약 =MOCVD)

2.( 1) 안내적으로 검색된 레코드 수: VIP: 72 1, 그 중 하나는 "방사형 3 중 흐름 MOCVD 반응기에서 GaN 성장의 수치 시뮬레이션" 입니다.

Cnki: 48 편의 문장 중 하나는 "MOCVD 가 InGaN/GaN MQW 보라색의 성장을 이끌었다" 는 제목입니다.

(2) (1) 로 작성된 검색 공식: VIP: 268, 그 중 하나는 "GaN—MOCVD 시스템 반응실 유동장의 수치 시뮬레이션" 입니다.

CNKI: 5 편의 문장 중 하나는 "GaN-MOCVD 장비의 발전 현황 및 산업화 사고" 입니다.