전력 반도체 업계에서는 아는 사람이라면 모두 중국 마이크로전자에 대해 잘 알고 있어야 한다. 현재 중국 마이크로전자는 IGBT, MOSFET, SCR, SBD, IPM, FRD, BJT 를 마케팅 주선으로 하는 제품군을 형성하고 있으며, 각 기술은 매우 선진적이며 국내 전력 반도체 기업들 중 경쟁력이 상당히 강하다. 화웨이 마이크로전자는 4 인치, 5 인치, 6 인치 이상의 분립전력 반도체 부품 및 IC 칩 생산 라인, 칩 처리 능력 400 만 조각/년, 패키지 자원 24 억 조각/년, 모듈 654.38+08 만 조각/년을 보유하고 있습니다. 회사는 단말기 설계, 공정 제조 및 제품 설계 방면에 여러 가지 특허를 가지고 있다. IGBT, MOS, 바이폴라 공정, 집적 회로 등의 핵심 제조 기술을 채택한 전체 제품군 중 IGBT 웨이퍼 공정, 트렌치 공정, 수명 제어, 터미널 설계 기술은 국내 선두로 국제 동종 업계 선진 수준에 이르렀다. 이 회사는 주로 전력 반도체 부품과 집적 회로를 생산한다. 현재 회사는 IGBT, MOSFET, SCR, SBD, IPM, FRD, BJT 를 마케팅 주선으로 하는 제품군을 형성하고 있습니다. 제품 범주는 기본적으로 자동차 전자, 전력 전자, 광전지 인버터, 산업 제어, LED 조명 등 다양한 전력 반도체 장치를 포괄하며 새로운 에너지 자동차, 광전지, 주파수 변환 등 전략적 신흥 분야에서 빠르게 성장하고 있습니다.