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100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。100N10的功耗(PD)为166W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为8.8mΩ。100N10的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.3V，反向恢复时间(trr)为47nS，输出电容(Coss)为373pF，其中有3条引线。

100N10参数描述

型号：100N10

封装：TO-220AB

特性：大功率MOS管

电性参数：100A 100V

栅极阈值电压VGS(TH)：4V

连续漏极电流(ID)：100A

功耗(PD)：166W

二极管正向电压(VSD)：1.3V

静态漏源导通电阻(RDS(ON))：8.8mΩ

脉冲漏极电流IDM：390A

反向恢复时间(trr)：47nS

输出电容(Coss)：373pF

贮存温度：-55~+150℃

引线数量：3

100N10属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为15.32mm，加引脚长度为29.62mm，宽度为10.5mm，高度为4.86mm，脚间距为2.67mm。