曹经倩认为能发生反应

Cr2O7 2- + 2H2SO4- = 2CrO3（OSO3 ）2- + H2O

王先友则认为Cr6+能与H2SO4反应生成Cr（VI）-H2SO4的配合物，实现了Cr6+往电极表面的传输，1979年，美国科学家 J.P.Hoare霍尔提出了HSO4-与三铬酸分子的一端借助氢键封闭一端，裸露另一端的“单端屏蔽学说”。但是，氢键能很小，容易断裂，依靠氢键形成的配合物是不稳定的。

以上这些理论有一个***同点，就是H2SO4与Cr（VI)生成了某种“配合物”，硫酸起配合剂的作用。1998年吴双成也曾探讨镀铬机理，认为H2SO4和H2CrO4发生了如下反应，生成四元环结构的硫酸铬酰。

硫元素比铬元素的电负性大，硫酸铬酰是个极性分子，铬酰基带正电荷，硫酸根带负电荷，与CrO4 2-，Cr2O7 2-相比，阴极对硫酸铬酰分子的排斥作用减弱了。使得六价铬容易接近阴极表面，实现往电极表面的传输。在阴极表面上，铬酰基的一端指向阴极表面，硫酸根的一端指向溶液。H2SO4的作用就是改变六价铬的存在状态，使不易电还原的CrO4 2-，Cr2O7 2-转变为易于电还原的硫酸铬酰。如果镀铬液中不存在H2SO4，就不会有硫酸铬酰的生成，难以电沉积出铬来，此时，溶液中的阳离子只有 H+,阴极只能将H+还原为H2气体析出。

当然，H2Cr2O7, H2Cr3O10都可与H2SO4反应，分别生成硫酸铬酸铬酰，硫酸二铬酸铬酰，它们分别是六元环，八元环，环的张力比四元环大，不太稳定。四元环的硫酸铬酰分子体积小，能更快地迁移到阴极表面，所以优先电还原的物质应是硫酸铬酰。

阴极反应是 2H+ + 2e = H2

CrO2SO4 + 6H+ + 6e = Cr + H2SO4 + 2 H2O

配合物电镀中，直接在阴极放电的总是配位数较低的配离子、中性分子、甚至是阳离子。原因是配位数较高的配离子更强烈地受到双电层电荷的排斥作用，这会导致配合位数较低的配离子成为主要的反应离子。硫酸铬酰是表面配合物或活化配合物，属于低配位数配合物。而六元环的硫酸铬酸铬酰和八元环的硫酸二铬酸铬酰，属于高配位数配合物，Cr2O7 2-、 Cr3O10 2-是溶液中主要存在形成离子。

曹锡章认为，溶液中总是存在约1%的铬氧基CrO2 2+，1mol H2Cr2O4与1mol H2SO4反应才能产生1mol CrO2 2+，因此，镀铬溶液总是需要约1%的H2SO4催化剂。