在半导体制程中的PVD（Physical Vapor Deposition，物理气相沉积）工艺中，IMP和DS分别表示不同的沉积技术：

1. IMP：即Ionized Metal Plasma（离子化金属等离子体），这是一种利用等离子体对金属靶材进行溅射沉积的技术。通过将溅射的金属离子进一步激发形成高密度的等离子体，使得沉积过程更加有效和均匀，适用于制造高质量的薄膜。

2. DS：即Direct Sputter（直接溅射），这是一种传统的溅射沉积技术，通过将靶材置于真空环境中，利用高能离子轰击靶材表面，使其原子或分子以蒸发或溅射的形式沉积在基片上形成薄膜。

IMP Ti 和 DS Ti 靶材分别表示使用离子化金属等离子体溅射和直接溅射技术制备的钛靶材。