λ---光谱半宽度

VF---正向压降差

Vz---稳压范围电压增量

av---电压温度系数

a---温度系数

BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压

BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路，CE结击穿电压

BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压

Cib---***基极输入电容

Cic---集电结势垒电容

Cieo---***发射极开路输入电容

Cies---***发射极短路输入电容

Cie---***发射极输入电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cjo---零偏压结电容

Cjv---偏压结电容

Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

CL---负载电容（外电路参数）

Cn---中和电容（外电路参数）

Cob---***基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容

Coeo---***发射极开路输出电容

Coe---***发射极输出电容

Co---零偏压电容

Co---输出电容

Cp---并联电容（外电路参数）

Cre---***发射极反馈电容

Cs---管壳电容或封装电容

CTC---电容温度系数

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

Ct---总电容

Cvn---标称电容

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

D---占空比

ESB---二次击穿能量

fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率

fT---特征频率

f---频率

h RE---***发射极静态电压反馈系数

hFE---***发射极静态电流放大系数

hfe---***发射极小信号短路电压放大系数

hIE---***发射极静态输入阻抗

hie---***发射极小信号短路输入阻抗

hOE---***发射极静态输出电导

hoe---***发射极小信号开路输出导纳

hre---***发射极小信号开路电压反馈系数

IAGC---正向自动控制电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流