我将尝试尽我所能的一一解答以上各个问题：

1、“扩散炉”顾名思义就是用来扩散的炉子，在晶体硅太阳能电池的生产制造行业中，自然是用于对硅基片的扩散掺杂，制备P-N结结构。至于硅片的热氧化，只不过是扩散掺杂技术工艺的一个中间过程，是为了提高扩散工艺的稳定性和均匀性而设计的。但是一般氧化层厚度极薄，与半导体晶圆工艺制程中的氧化完全不同，因此这里经过热氧化的硅片只是中间的一个状态，一般并不单独作为一个工艺单元。

2、“炉管”即“TUBE”，显然只有管式炉才有炉管只称谓，板式则称为“腔”。除了扩散炉，PECVD也有管式设备，基本上和扩散炉的炉管是同一个概念。

——另外，国产PECVD以管式居多。