0 .068Ⅰ－63：应该是0.068uF,I类瓷片电容,耐压63V.

1500Ⅲ：1500pF,Ⅲ类陶瓷电容.

瓷片电容按照介质不同分为Ⅰ类 NPO 或COG(国内叫CC 型) Ⅱ类 X5R、X7R 或Y5P(国内叫CT 型) Ⅲ类 Y5V 或Z5U(国内叫CS 型) .

Ⅰ类（也可称高频陶瓷电容器）是用介质损耗小,绝缘电阻高,介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制作的电容器.此类电容适用于损耗小和要求电容量极其稳定的高频电路,还可用于谐振回路、温度补偿等,其电性能最稳定,基本上不随温度、电压和时间的变化而改变,变化率一般是以ppm/℃来表示,其介电系数400左右,故电容量不能做的很大（一般在100PF以下）.它的填充介质一般由铷、钐和其它的一些稀有氧化物组成.

Ⅱ类（与Ⅲ类统称为低频陶瓷电容器）是用铁电陶瓷做介质的电容器,这类电容比容大,损耗比较大,电气性能较稳定,随温度、电压和时间的变化并不显著,适用于隔直、耦合、旁路与对容量要求不高的电路,其介电系数较大（可达1200）,故电容量可做的很大,相同的体积,其容值比Ⅰ类的大20～70倍,其容量随温度的变化率为约±15%.

Ⅲ类 也是用铁电陶瓷做介质的电容器,此类电容比容较Ⅱ类要大,容量和损耗对温度、电压很敏感,稳定性很差.但其等效串联电阻（ESR）和等效串联电感(ESL)低,具有良好的频率响应,主要应用在退耦电路中,其介电系数更大（可达1000～12000）,故其容量可做的更大,相同的体积,其容值可做到Ⅱ类的5倍.其容值随温度的变化率为-82%～+22%.