缺点：

1、维护工作量大，寿命较短。

2、建筑面积大，安装工期长，造价高。

3、需要装设充电、浮充电等附属设备。

4、光合硅能蓄电池的自放电性能、抗衰减性能、浮充性能、使用寿命、安全性能都不是很好。

扩展资料：

光合硅能蓄电池的制作工艺：

1、发射区的形成

利用丝网印刷形成PN结，代替常规的管式炉扩散工艺。一般在多晶硅的正面印刷含磷的浆料、在反面印刷含铝的金属浆料。

印刷完成后，扩散可在网带炉中完成，这样，印刷、烘干、扩散可形成连续性生产。丝网印刷扩散技术所形成的发射区通常表面浓度比较高，则表面光生载流子复合较大，为了克服这一缺点，工艺上采用了下面的选择发射区工艺技术，使电池的转换效率得到进一步的提高。

2、选择发射区工艺

在多晶硅电池的扩散工艺中，选择发射区技术分为局部腐蚀或两步扩散法。局部腐蚀为用干法或化学腐蚀的方法，将金属电极之间区域的重扩散层腐蚀掉。

最初，Solarex应用反应离子腐蚀的方法在同一台设备中，先用大反应功率腐蚀掉金属电极间的重掺杂层，再用小功率沉积一层氮化硅薄膜，该膜层发挥减反射和电池表面钝化的双重作用。

在100cm2的多晶上作出转换效率超过13%的电池。在同样面积上，应用两部扩散法，未作机械绒面的情况下转换效率达到16%。

百度百科-光合电池