정의: MB 칩: 금속 본딩 칩; 이 칩은 UEC 의 특허 제품에 속한다.

특징: 1, 높은 냉각 계수 재질-Si 를 기판으로 사용하여 열을 쉽게 방출합니다.

열전도도

가우스: 46w/미터-그램

격차: 77 W/m-K

실리콘: 125 ~ 150 W/m-K

구리: 300~400 와트/미터-그램

탄화 규소: 490w/미터-그램

2. 결정원은 금속층을 통해 외연층과 라이닝을 결합하고 광자를 반사하여 라이닝의 흡수를 피한다.

3. GaAs 라이닝 대신 전도성 실리콘 라이닝은 열전도도 (열전도도 차이 3~4 배) 가 우수하며 높은 구동 전류 분야에 더 적합합니다. 4. 바닥의 금속 반사층은 광도와 발열을 높이는 데 도움이 된다.

5, 크기가 증가 할 수 있으며 42mil MB 와 같은 고전력 분야에서 사용할 수 있습니다.

기가바이트 칩

정의: 국가 표준 칩: 접착제 칩; 이 칩은 UEC 의 특허 제품에 속한다.

특징: 1: 투명 사파이어 라이닝은 흡수 GaAs 라이닝을 대체하며, 광 출력 전력은 기존 As (흡수성 구조) 칩의 두 배 이상입니다. 사파이어 기판은 TS 칩 갭 기판과 유사합니다.

2: 칩 4 면 발광, 우수한 패턴.

발광 다이오드 칩

3: 밝기의 경우 전체 밝기가 ts 칩 수준 (8.6mil) 을 초과했습니다.

4: ts 단일 전극 TS 칩보다 고전류 내성이 약간 낮은 이중 전극 구조입니다.

정의: TS 칩: 투명 구조 칩, HP 의 특허 제품입니다.

특징: 1. 칩 공정이 복잡해서 LED 보다 훨씬 높다.

2. 뛰어난 신뢰성

투명 갭 기판, 빛을 흡수하지 않고 밝기가 높습니다.

4. 광범위하게 응용하다

정의: AS 칩: 흡수성 구조 칩; 최근 40 년간의 발전 노력 끝에 대만성 LED 광전산업의 R&D, 이 칩의 생산과 판매는 모두 성숙 단계에 있으며, R&D 의 각 대기업과 거의 같은 수준에 있어 차이가 크지 않다. 대륙칩 제조업은 시작이 비교적 늦었고, 밝기와 신뢰성은 대만성 공업과 여전히 일정한 차이가 있다. 우리가 여기서 논의하고 있는 것은. UEC 의 칩, 특히 UEC 의 칩 (예: 7 12Sol-VR, 709sol-VR, 7 12Sym-VR, 709 ss)

특징: 1. MOVPE 기술로 제작된 4 칩은 기존 칩보다 밝기가 더 밝습니다.

2. 뛰어난 신뢰성

3. 광범위하게 응용하다

다이오드 칩 유형

1, LPE: 액상 에피 택셜 (갭/갭)

2.VPE: 기상외연 (가스상뢰 결정법) GaAsP/GaAs.

3.MOVPE: 금속 유기기상외연 (유기금속가스상뢰결정법) AlGaInP, 간.

4.SH: GaAlAs/GaAs 단일 이기종 구조 (단일 이기종 구조) GaAlAs/GaAs.

5.DH: GaAlAs/GaAs 이중 이기종 구조, (이중 이기종 구조) GaAlAs/GaAs.

6.DDH: gaalas/gaalas 이중 이기종 패브릭, (이중 이기종 패브릭)

4 가지 중요한 매개변수

1, 작동 전류 If

발광 다이오드가 정상적으로 발광할 때의 정방향 전류 값을 나타냅니다. 실제로 필요한 경우 IF 는 0.6 IFm 보다 낮아야 합니다.

2. 순방향 작동 전압 VF

매개변수 테이블에 제공된 작동 전압은 지정된 정방향 전류 하에서 얻어집니다. 일반적으로 IF=20mA 일 때 측정됩니다. LED 정방향 작동 전압 VF 는 1.4 ~ 3V 입니다. 외부 온도가 높아지면 VF 가 낮아집니다.

3. 전압 전류 특성

발광 다이오드의 전압과 전류의 관계로, DC 전압이 정확히 특정 값 (임계값이라고 함) 보다 낮을 때 전류가 작아서 빛을 내지 않는다. 전압이 일정 값을 초과하면 정방향 전류가 전압에 따라 빠르게 증가하고 발광한다.

4. 발광 강도 IV

발광 다이오드의 광도는 일반적으로 법선 (원통형 발광관의 축) 방향의 광도를 나타냅니다. 해당 방향의 방사 강도가 (1/683)W/sr 이면 1 칸델라 (기호 CD) 가 방출됩니다. 일반 LED 의 발광 다이오드 강도가 낮기 때문에 광도는 일반적으로 칸델라 (Candeira, MCD) 로 측정됩니다.

5, LED 조명 각도

-90-+90

6, 스펙트럼 반 폭 δ λ

LED 의 스펙트럼 순도를 나타냅니다.

7. 반값 각도 θ 1/2 및 시야각

θ 1/2 는 광도값이 축 강도 값의 절반인 방향과 광축 (법선 방향) 사이의 각도를 나타냅니다.

8. 완전한 모양

LED 램프의 입체각이 변환되는 각도를 평면 각도라고도 합니다.

9. 관점

LED 발광의 최대 각도를 나타냅니다. 시각이 다르면 응용도 다르고, 광강도 각도라고도 한다.

10, 반구

법선 0 과 최대 발광 강도 값 /2 사이의 각도입니다. 엄밀히 말하면 최대 광도값과 최대 광도값 /2 사이의 각도입니다. LED 의 패키징 기술로 인해 최대 발광 각도는 법선 0 의 광도 값이 아니며 편차 각도가 도입되었습니다. 편차 각도는 최대 발광 강도에 해당하는 각도와 법선 0 의 각도입니다.

1 1, 최대 정방향 DC 전류 IFm

최대 허용 순방향 DC 전류. 이 값을 초과하면 다이오드가 손상될 수 있습니다.

12 최대 역방향 전압 VRm

최대 허용 역방향 전압은 항복 전압입니다. 이 값을 초과하면 LED 가 파손으로 인해 손상될 수 있습니다.

13, 작업 환경 topm

LED 정상 작동 주변 온도 범위. 이 온도 범위보다 낮거나 높으면 LED 가 제대로 작동하지 않고 효율성이 크게 떨어집니다.

14, 전력 소비량 Pm 허용

LED 양 끝의 순방향 DC 전압과 흐르는 전류의 곱의 최대 값입니다. 이 값을 초과하면 LED 가 가열되어 손상될 수 있습니다. [3]

5 칩 크기

고출력 LED 칩은 38*38mil, 40*40mil, 45*45mil 의 세 가지 크기로 제공됩니다. 물론 칩 크기는 사용자 정의할 수 있습니다. 이것은 단지 일반적인 사양일 뿐입니다. 밀은 치수 단위이고, 밀은 1 인치의 천분의 일이다. 40mil 은 1 mm, 38mil, 40mil, 45mil 은 1W 고전력 칩에 일반적으로 사용되는 크기입니다. 이론적으로 칩이 클수록 견딜 수 있는 전류와 전력이 커진다. 하지만 칩의 소재와 공예도 칩 전력에 영향을 미치는 주요 요인이다. 예를 들어 CREE 40mil 칩은 1W 에서 3W 까지 견딜 수 있고, 같은 크기의 다른 칩은 최대 2W 까지 견딜 수 있습니다.

6 발광 밝기

일반 밝기: r (빨간색 GaAsP 655nm), h (높은 빨간색 GaP 697nm), g (녹색 GaP 565nm), y (노란색 GaAsP/GaP 585nm), e (주황색 gaasp)

고휘도: VG (밝은 녹색 GaP 565nm), VY (밝은 노란색 GaAsP/ GaP 585nm), SR (밝은 빨간색 GAA/as660nm); 을 눌러 섹션을 인쇄할 수도 있습니다

울트라 밝기: UG, UY, UR, UYS, URF, UE 등.

이원칩 (인, 갈륨): h, g 등.

삼원 칩 (인, 갈륨, 비소): SR (밝은 빨간색 GaA/AS 660nm), HR (매우 밝은 빨간색 GaAlAs 660nm), UR (밝은 빨간색 GaAlAs 660nm) 등.

쿼드 칩 (인, 알루미늄, 갈륨, 인듐): SRF (밝은 빨간색 alga InP), HRF (매우 밝은 빨간색 alga InP), URF (밝은 빨간색 AlGalnP 630nm), VY (밝은 노란색 gy UYS (가장 밝은 노란색 AlGalnP 587nm), UE (가장 밝은 주황색 alga InP 620nm), HE (매우 밝은 주황색 alga InP 620nm), UG (가장 밝은 녹색 alga InP 574nm)LED 등.

7 기판

LED 칩 제조의 경우 기판 재료 선택이 가장 중요한 고려 사항입니다. 어떤 적합한 베이스보드를 사용해야 하는지 장비와 LED 장치의 요구 사항에 따라 선택해야 합니다. 사파이어 (Al2O3), 실리콘 (Si) 및 실리콘 카바이드 (SiC) 의 세 가지 기판 재료가 있습니다.

사파이어의 장점: 1. 생산 기술이 성숙하고, 장치 품질이 좋다. 2. 고온 성장 과정에 사용할 수 있는 안정성이 우수합니다. 높은 기계적 강도, 쉬운 처리 및 청소.

사파이어의 단점: 1. 격자 불일치와 열 응력 불일치는 외연층에서 대량의 결함을 일으킬 수 있다. 2. 사파이어는 절연체로 윗면에 두 개의 전극을 만들어 유효 발광 면적을 줄였다. 3. 리소그래피 및 에칭 공정을 추가하여 제조 비용이 높습니다.

실리콘은 열의 양도체로, 기구의 열전도도를 현저히 높여 부품의 수명을 연장시킬 수 있다.

탄화 실리콘 라이닝의 LED 칩 중 (CREE 는 SiC 소재로 라이닝을 전문으로 함), 전극은 L 자 모양이며 전류는 세로로 흐릅니다. 이런 라이닝으로 만든 부품은 전도성과 열전도성이 매우 뛰어나 대면적 고전력 부품을 만드는 데 유리하다. 장점: 탄화 실리콘의 열전도율은 490 W/m·k 로 사파이어 라이닝보다 10 배 이상 높다. 단점: 탄화 규소 제조 비용이 높기 때문에 상용화를 달성하기 위해서는 해당 비용을 낮춰야 합니다.

8led 기능

(1) quad 칩은 MOVPE 공정으로 제조되어 일반 칩보다 밝기가 더 밝습니다.

(2) 신뢰성이 우수하다.

(3) 널리 사용됩니다.

(4) 안전성이 높다.

(5) 수명이 길다.

9 판단하는 법

Led 칩 가격: 일반적으로 칩의 가격은 수정원보다 높고, 고전력 led 칩은 저전력 led 칩보다 높고, 수입은 국산보다 높다. 일본, 미국, 대만성에서 수입한 출처 가격이 순차적으로 하락했다.

Led 칩의 품질: led 칩의 품질은 주로 알몸 밝기와 감쇠의 두 가지 주요 기준으로 측정되며, 주로 패키징 중 led 칩 캡슐화의 수율로 계산됩니다.

10 일상적인 사용

적색: 9mil 제곱, (순홍) 파장: 620-625nm, 상하 60, 좌우 120, 최대 밝기1000-/Kloc-

녹색: 12mil 정사각형, (순수 녹색) 파장: 520-525nm, 상하 60, 좌우 120, 최대 2000-3000mcd 밝기 을 눌러 섹션을 인쇄할 수도 있습니다

성능: 밝기, 정전기 방지, 감쇠 방지, 일관성 등의 특징을 갖추고 있어 led 간판, led 발광자를 만드는 데 가장 적합합니다.

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16 제조업체 소개

대만 LED 칩 제조업체

Epistar (약칭: ES, (연합전, 원곤, 영영, 국련), 휴가, 창세기광자, 아리마광전 (약칭: AOC, Tekcore, 기력, 집합신) 광뢰 (ED) 와 Tyntek 는 TK, 요복주 테크놀로지 TC, 플라스틱 외연, 곽통, 려안정, 전신광전기 (VPEC) 등이다

화성전자 (Ledtech electronics), 동베이 (Unity Opto Technology), 팔라광전자, 이베리트 전자 (Everlight electronics), 백홍 (Bright LED electronics), 킴브라이트 (kins)

국내 LED 칩 제조업체

삼안광전약칭 (S), 상하이 에피리거트 약칭 (E), 석란명신 (SL), 대련루미 약칭 (LM), 원제광전, 화찬광전, 남창신레, 상하이 금교달아침, 하북립드, 하북환에너지

국제 LED 칩 제조업체

CREE, HP, Nichia, 도요타 합성, Ocean Ristic Acid, 도시바, 쇼와 전기 (SDK), Lumileds, Smileds, Genelite,

17 도난 방지 장치

모형

참조 데이터

1.LED 칩 고려사항. 。 Cob[ 참조 날짜 20 13-05-2 1].

2.LED 칩 분류. LED 램프 [참조 날짜 20 13-04-28].

3.LED 칩의 중요한 매개 변수와 두 가지 구조 분석. 반도체 장치 응용 네트워크 [참조 날짜: 20 13-07- 10].

4.LED 칩 및 장치 분류 테스트. 빅 비트 비즈니스 네트워크 [참조 날짜 20 13-05-3].

5. 칩 사용시 일반적인 문제 분석 주도. 빅 비트 비즈니스 네트워크 [참조 날짜 20 13-05-24].

Led 칩 가격: 일반적으로 칩의 가격은 수정원보다 높고, 고전력 led 칩은 저전력 led 칩보다 높고, 수입은 국산보다 높다. 일본, 미국, 대만성에서 수입한 출처 가격이 순차적으로 하락했다.

Led 칩의 품질: led 칩의 품질은 주로 알몸 밝기와 감쇠의 두 가지 주요 기준으로 측정되며, 주로 패키징 중 led 칩 캡슐화의 수율로 계산됩니다.