첫째, 질화 갈륨 급속 충전 시장 규모
질화 갈륨 (GaN) 은 차세대 반도체 재료입니다. 기존 기존 실리콘 (Si) 기술보다 20 배 빠르고 전력은 3 배 더 높을 수 있습니다. 첨단 고속 충전기 제품에 사용할 경우 기존 제품의 성능을 훨씬 능가하고 동일한 크기의 출력 전력이 3 배 더 높습니다.
이러한 성능 이점으로 인해 질화 갈륨은 소비 급속 충전 전원 시장에 널리 사용되고 있습니다. 충전 헤드 네트워크 통계에 따르면 현재 수십 개의 주요 전원 공급 업체가 질화 갈륨 고속 충전 제품 라인을 열어 수백 가지의 질화 갈륨 고속 충전품을 출시하고 있습니다. 화웨이, 샤오미, OPPO, 매력족, 삼성, 중흥, 누비아, 매력족, 레알미, Dell, Lenovo 등 유명 휴대폰/노트북 브랜드도 잇달아 시장에 진출했다.
또 다른 자료에 따르면 전자업체 고객이 주도하는 충전기 시장에서는 20 19 질화 갈륨 전력 장치 출하량이 약 300 만 ~ 400 만 개에 달합니다. 휴대전화와 노트북 보급률이 더욱 높아지면서 2020 년에는 5 ~ 6 배, 총 출하량 1500-2000 만, 질화 갈륨 부품 출하량은 202 10 년에 이를 것으로 예상된다. 2025 년에는 글로벌 GaN 의 빠른 충전시장 규모가 600 억 원 이상에 이를 것으로 예상되며 시장 전망은 매우 인상적입니다.
둘째, 질화 갈륨의 급속 충전을위한 주요 칩
질화 갈륨 고속 충전 제품 설계에는 주로 질화 갈륨 컨트롤러, 질화 갈륨 전력 장치 및 고속 충전 프로토콜 컨트롤러의 세 가지 핵심 칩이 필요한 것으로 알려져 있습니다. 현재 질화 갈륨 전력 부품, 고속 충전 프로토콜 칩이 속속 국산화되고 있습니다. 대조적으로, 질화 갈륨 제어 칩의 개발은 국내 반도체 제조업체의 약한 고리가 되었다. 질화 갈륨 컨트롤러는 주로 수입에 의존하고 있으며, 주동권은 줄곧 수입 브랜드의 손에 쥐고 있다.
이는 주로 GaN 전력 장치의 구동 전압 범위가 좁고 VGS 가 음압에 민감하며, 소자 개방 전압 임계값 (VGS-th) 이 약 1V~2V 로 방해를 받아 잘못 열리기 때문입니다. 따라서 질화 갈륨을 구동하는 드라이브와 컨트롤러는 기존의 실리콘 부품보다 더 많은 기술적 문제를 해결해야 합니다.
또한 내장형 구동 회로가 있는 GaN 전력 장치를 제외한 대부분의 GaN 전력 장치에는 외부 구동 회로가 필요합니다.
내장 구동 회로가 없는 경우, GaN 장치의 신뢰할 수 있는 작동을 보장하기 위해, 구동 회로의 고속 성능과 구동 전력 소비를 최적화해야 할 뿐만 아니라, 드라이브를 정확하고 안정적으로 출력하여 구동 전압을 정확하게 출력하고, 장치가 올바르게 전환되도록 해야 하며, 주 회로의 스위치에 의해 발생하는 음압이 GaN 장치에 미치는 영향을 엄격하게 제어해야 합니다.
셋째, 국내 칩 질화 갈륨의 전체 세트가 거의 채워진다.
동완서항전자기술유한공사는 최근 65W 질화 갈륨 충전기를 양산하는 데 성공했다. 1A 1C 이중 포트 및 접기 핀의 일반적인 구성 외에도 국산 질화 갈륨 제어 칩, 국산 질화 갈륨 전력 부품 및 국산 고속 충전 프로토콜 칩을 기반으로 개발되고 정식으로 생산된 업계 최초의 제품입니다. 세 개의 코어 칩은 각각 남심 반도체, Innoseco, 포용 기술에서 나온다.
충전헤드망에 따르면 서항 65W 1A 10C 질화 갈륨 충전기에 내장된 3 개의 코어 칩은 각각 남심의 마스터 칩 SC302 1A, Innoseco 질화 갈륨 전력 장치 INN650D02 입니다.
충전기는 최대 출력 65W 의 USB-C 인터페이스와 최대 출력 30W 의 USB-A 커넥터가 있는 100-240V~ 50/60Hz 입력 및 듀얼 포트 고속 충전 출력을 지원합니다.
서항 65W 1A 1C 질화 갈륨 급속 충전기의 크기는 약 53*53*28mm 이고 전력 밀도는 최대 0.83W/mm 입니까? 애플 6 1W 충전기에 비해 부피가 3 분의 1 정도 줄었다.
ChargerLAB POWER-Z KT00 1 측정된 충전기의 USB-A 포트는 Apple2.4A, Samsung5V2A, QC3.0, QC2.0, AFC, FCP, SCP 를 지원합니다
USB-C 포트는 Apple2.4A, Samsung5V2A, QC3.0, QC2.0, AFC, SCP, PE, PD3.0 PPS 등의 프로토콜을 지원합니다.
PDO 메시지는 충전기 USB-C 포트가 5V3A, 9V3A, 12V3A, 15V3A, 20V3.25A, 3.3-1을 지원한다는 것을 보여줍니다
넷째, 질화 갈륨은 3 대 핵심 칩을 빠르게 충전하여 자율적으로 조절할 수 있다.
남신 본부는 상해에 설치되어 있다. 사우스코어 SC302 1A 는 다양한 고주파 QR 고속 충전 요구 사항을 충족하며, 전용 GaN 다이렉트 드라이브 설계를 통해 외부 드라이브 또는 개별 드라이브를 제거합니다. 통합 세그먼트 전원 공급 모드, 단일 권선 전원 공급 장치, 복잡한 전원 공급 회로 필요 없음 내장 고압 시동 및 AC 입력 브라운 입/출력 기능, 통합 X-cap 방전 기능 SC302 1A 최대 작동 주파수 170KHz (권선 변압기용), SC302 1B 는 최대 작동 주파수 260KHz (평면 변압기용) 를 지원합니다.
남신 SC302 1A 상세 사양.
원래의 질화 갈륨 스위치 튜브는 Innoseco, 모델 INN650D02, 내압 650V, 컨덕턴스 0.2ω, JEDEC 표준에 부합하는 산업 응용 프로그램 요구 사항으로 전체 제품의 핵심 부품입니다. InN650D02 "Innogan" 스위치 파이프는 고주파 고효율 스위치 전원 어플리케이션에 적합한 고주파 특성과 낮은 전도 저항을 갖추고 있습니다. 고출력 스위칭 전원 공급 장치 어플리케이션을 위한 초저열 저항과 우수한 열 성능을 갖춘 DFN8*8 패키지.
Innoseco 본부는 주해에 위치하고 있으며 주해와 쑤저우에 생산기지를 두고 있습니다. Inn650d02 "Innogan" 스위치 파이프는 업계 최고의 8 인치 생산 가공 기술을 기반으로 시장 최초의 고급 질화 갈륨 전력 장치로 알려져 있습니다. 이 기술의 대규모 상업화는 질화 플루토늄의 빠른 충전의 빠른 보급을 촉진할 것이다.
현재 Innoseco 는 R&D, 설계, 외연 생산, 칩 제조, 테스트를 하나로 통합한 세계 최대 3 세대 반도체 산업 체인 R&D 및 생산 플랫폼을 구축했습니다. 전면 생산 후, 8 인치 실리콘 기반 질화 갈륨 6 만 5 천 조각의 월생산이 실현될 것이며, 제품은 5G 이동통신, 데이터 센터, 신에너지자동차, 무인운전, 휴대폰 충전 등 전략적 신흥산업의 자주 혁신 발전을 위한 핵심 전자부품을 제공할 것이다.
Innoseco 의 InnoGaN 시리즈 GaN 칩은 이미 소비자급 전력 시장에서 대량으로 출하되어 Nubia, 매력족, Lapo, MOMAX, ROCK, Feifei 등 유명 브랜드의 빠른 충전 공급망에 성공적으로 진입했습니다. , 모든 제품은 세계 최대 GaN 전력 제조업체 중 하나로 시장 피드백을 받았습니다.
관용의 본부는 주해에 설치되어 있다. 용존 SW35 16H 는 고도로 통합된 듀얼 포트 충전 칩으로, 얼마나 빠른 충전 프로토콜 지원, A+C 포트 임의 포트 고속 충전 출력 지원, 2 포트 독립 전류 제한. 통합 5A 고효율 동기식 벅 컨버터, PPS 지원, PD, QC, AFC, FCP, SCP, PE, SFCP, 저전압 직접 충전 등 고속 충전 프로토콜, CC/CV 모드, 듀얼 포트 관리 로직. 주변은 몇 개의 장치만 있으면 완벽한 고성능 멀티 스피드 충전 프로토콜 듀얼 포트 충전 솔루션을 형성할 수 있습니다.
SW35 16H 상세 사양 허용.
동사 (verb 의 약어) 업계의 중요성
질화 갈륨은 3 개의 핵심 칩을 빠르게 충전하여 완전히 국산화한다. 한편, 현재 중미 무역 마찰의 맥락에서 핵심 기술이 꼬집는 것을 방지한다. 한편, 국내 반도체 제조업체는 본토 기업의 장점을 충분히 발휘하여 질화 갈륨의 빠른 충전 비용을 더욱 절감하고 고밀도 고속 충전 전원 공급 장치의 보급을 촉진할 수 있습니다. 미래의 시장 경쟁에서 국산 질화 플루토늄 빠른 충전 방안도 유력한 게이머가 될 것이다.
가까운 장래에 질화 갈륨 급속 충전 제품의 가격이 점차 평민화되고 일반 실리콘 충전기의 가격으로 새로운 질화 갈륨 급속 충전의 비전도 가능해질 것으로 믿는다.